[發明專利]一種透明超寬帶電磁屏蔽器件有效
| 申請號： | 202110024248.1 | 申請日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN112867379B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 宋偉杰;袁昌衛;魯越暉;黃金華;李佳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 315336 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 透明 寬帶 電磁 屏蔽 器件 | ||
1.一種透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，包括依次復合的第一透明導電層、由第一透明介質層和間隔層復合而成的重復單元、第二透明介質層和第二透明導電層；
所述間隔層由第一透明膠片、間隔屏蔽層和第二透明膠片復合而成；
所述第一透明導電層、第二透明導電層和間隔屏蔽層獨立的選自金屬網格、銀納米線、超薄金屬、磁性材料或導電氧化物中的一種或多種制備而成的單層或多層薄膜；
所述第一透明導電層和第二透明導電層的方塊電阻小于5歐姆，電導率大于1×106 S·m-1；
所述間隔屏蔽層的方塊電阻小于100歐姆，電導率大于1×105 S·m-1；
所述第一透明導電層、第二透明導電層和間隔屏蔽層的可見光透過率大于80%；
所述第一透明介質層和第二透明介質的單層光學厚度在1/32 ~ 1/2最小屏蔽波長距離之間。
2.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，在所述第一透明導電層表面還依次復合有第一增透膜和/或第一保護層；
在所述第二透明導電層表面還依次復合有第二增透膜和/或第二保護層。
3.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述第一透明介質層和第二透明介質層選自超白玻璃、石英玻璃及透明高分子材料；
所述第一透明介質層和第二透明介質的光學厚度相同。
4.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述第一透明膠片和第二透明膠片選自OCA、SCA和透明樹脂中的一種。
5.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述金屬網格由導電性能良好的金屬材料制成，且網格厚度大于100 nm。
6.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述銀納米線的平均直徑小于200 nm，平均長度大于 10 μm，長徑比大于500。
7.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述超薄金屬為超薄金屬層夾層在兩層高折射率的介電層之間，具有介電層/超薄金屬層/介電層復合結構，所述超薄金屬層為純金屬層或金屬合金層；
所述純金屬層選自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au或Ni的金屬層；
所述合金層選自Cr，Ti，Ag，Al，Cu，Au和Ni中的兩種或兩種以上形成的合金層；
所述兩層高折射率的介電層獨立的選自ZnO，SnO2，Al2O3，In2O3，TiO2，WO3，ITO，AZO或GZO等金屬氧化物或者SiNx或AlNx等介電材料。
8.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述磁性材料選自Fe、Co、Ni金屬的合金材料；
所述導電氧化物選自ITO，FTO，AZO中的一種。
9.根據權利要求1所述的透明超寬帶電磁屏蔽器件，其特征在于，所述重復單元的重復個數≥1。
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