[發(fā)明專利]一種線式PECVD系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110024152.5
• 申請(qǐng)日: 2021-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN112746267A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊與勝;倪鵬玉;張建德;賴禮銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/50
• 分類號(hào): C23C16/50;C23C16/458;C23C16/54;H01L31/18
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張磊

1.一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：它包括第一沉積裝置、第二沉積裝置以及第三沉積裝置；所述第一沉積裝置與第二沉積裝置之間設(shè)有用于基片翻面、轉(zhuǎn)運(yùn)的第一基片翻面移轉(zhuǎn)裝置，所述第二沉積裝置與第三沉積裝置之間設(shè)有用于基片翻面、轉(zhuǎn)運(yùn)的第二基片翻面移轉(zhuǎn)裝置；所述第一沉積裝置與第二沉積裝置之間設(shè)有用于基片載板升降回轉(zhuǎn)的第一載板回轉(zhuǎn)裝置，所述第二沉積裝置與第三沉積裝置之間設(shè)有用于基片載板升降回轉(zhuǎn)的第二載板回轉(zhuǎn)裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第一沉積設(shè)備包括第一載板回升裝置、與第一載板回升裝置出料端連接的第一裝載組件、與第一裝載組件出料端相連的第一預(yù)熱室、與第一預(yù)熱室出料端相連的第一反應(yīng)室、與第一反應(yīng)室出料端相連的第一冷卻室、與第一冷卻室出料端相連的第一出片組件；所述第一預(yù)熱室進(jìn)料端設(shè)有預(yù)熱室第一密封隔斷組件；所述第一預(yù)熱室與第一反應(yīng)室之間設(shè)有反應(yīng)室第一密封隔斷組件；所述第一反應(yīng)室與第一冷卻室之間設(shè)有冷卻室第一密封隔斷組件；所述第一冷卻室出料端設(shè)有冷卻室第二密封隔斷組件；所述第一反應(yīng)室由依次連接的一個(gè)以上第一反應(yīng)腔構(gòu)成；當(dāng)?shù)谝环磻?yīng)室由依次連接的兩個(gè)以上第一反應(yīng)腔構(gòu)成時(shí)，相鄰第一反應(yīng)腔之間設(shè)有反應(yīng)室第二密封隔斷組件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第一反應(yīng)室由依次連接的第一反應(yīng)腔A和第一反應(yīng)腔B構(gòu)成；所述第一反應(yīng)腔A為沉積正面非晶硅本征層50％厚度的正面非晶硅本征層反應(yīng)腔室A；所述第一反應(yīng)腔B為沉積正面非晶硅本征層剩余50％厚度的正面非晶硅本征層反應(yīng)腔室B。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第二沉積設(shè)備包括第二裝載組件、與第二裝載組件出料端相連的第二預(yù)熱室、與第二預(yù)熱室出料端相連的第二反應(yīng)室、與第二反應(yīng)室出料端相連的第二冷卻室、與第二冷卻室出料端相連的第二出片組件；所述第二預(yù)熱室進(jìn)料端設(shè)有預(yù)熱室第二密封隔斷組件；所述第二預(yù)熱室與第二反應(yīng)室之間設(shè)有反應(yīng)室第三密封隔斷組件；所述第二反應(yīng)室與第二冷卻室之間設(shè)有冷卻室第三密封隔斷組件；所述第二冷卻室出料端設(shè)有冷卻室第四密封隔斷組件；所述第二反應(yīng)室由依次連接的一個(gè)以上第二反應(yīng)腔構(gòu)成；當(dāng)?shù)诙磻?yīng)室由依次連接的兩個(gè)以上第二反應(yīng)腔構(gòu)成時(shí)，相鄰第二反應(yīng)腔之間設(shè)有反應(yīng)室第四密封隔斷組件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第二反應(yīng)室由依次連接的第二反應(yīng)腔A和第二反應(yīng)腔B構(gòu)成；所述第二反應(yīng)腔A為沉積反面非晶硅本征層的反面非晶硅本征層反應(yīng)腔室A；所述第二反應(yīng)腔B為沉積N型薄膜硅層的N型薄膜硅層反應(yīng)腔室B。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第三沉積設(shè)備包括第三裝載組件、與第三裝載組件出料端相連的第三預(yù)熱室、與第三預(yù)熱室出料端相連的第三反應(yīng)室、與第三反應(yīng)室出料端相連的第三冷卻室、與第三冷卻室出料端相連的第三出片組件、與第三出片組件相連的用于基片載板下降回轉(zhuǎn)的第三載板回轉(zhuǎn)裝置；所述第三預(yù)熱室進(jìn)料端設(shè)有預(yù)熱室第三密封隔斷組件；所述第三預(yù)熱室與第三反應(yīng)室之間設(shè)有反應(yīng)室第五密封隔斷組件；所述第三反應(yīng)室與第三冷卻室之間設(shè)有冷卻室第五密封隔斷組件；所述第三冷卻室出料端設(shè)有冷卻室第六密封隔斷組件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第三反應(yīng)室為沉積P型薄膜硅層的P型薄膜硅層反應(yīng)腔室。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線式PECVD系統(tǒng)，其特征在于：所述第一基片翻面移轉(zhuǎn)裝置包括翻轉(zhuǎn)收集基片的第一基片收集機(jī)構(gòu)、與第一基片收集機(jī)構(gòu)配合的的第一裝片機(jī)構(gòu)、與第一裝片機(jī)構(gòu)配合的第一花籃輸送機(jī)構(gòu)、與第一花籃輸送機(jī)構(gòu)輸出端連接的第一卸片機(jī)構(gòu)、與第一卸片機(jī)構(gòu)配合對(duì)基片進(jìn)行分裝的第一硅片分裝機(jī)構(gòu)；和/或，所述第二基片翻面移轉(zhuǎn)裝置包括翻轉(zhuǎn)收集基片的第二基片收集機(jī)構(gòu)、與第二基片收集機(jī)構(gòu)配合的的第二裝片機(jī)構(gòu)、與第二裝片機(jī)構(gòu)配合的第二花籃輸送機(jī)構(gòu)、與第二花籃輸送機(jī)構(gòu)輸出端連接的第二卸片機(jī)構(gòu)、與第二卸片機(jī)構(gòu)配合對(duì)基片進(jìn)行分裝的第二硅片分裝機(jī)構(gòu)。