[發明專利]一種用于ESD保護的低壓SCR器件

有效

• 申請號: 202110024135.1
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112864149B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 劉志偉;卿乙宏;張鈺鑫;李潔翎;杜飛波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種用于ESD保護的低壓單向SCR器件，其特征在于，包括：

第一種導電類型襯底210，第一種導電類型襯底210之上形成的第二種導電類型深埋層220，深埋層220之上形成的依次鄰接的第一個第二種導電類型深阱區、第一個第一種導電類型深阱區260、第二個第二種導電類型深阱區240、第二個第一種導電類型深阱區250、第三個第二種導電類型深阱區；

所述第二個第二種導電類型深阱區240中依次設置有第一個第一種導電類型重摻雜有源區241和第一個第二種導電類型重摻雜有源區242，所述第二個第一種導電類型深阱區250中依次設置有第二個第一種導電類型重摻雜有源區251和第二個第二種導電類型重摻雜有源區252，所述第一個第一種導電類型深阱區260中依次設置有第三個第二種導電類型重摻雜有源區261和第三個第一種導電類型重摻雜有源區262；所述第一個第一種導電類型重摻雜有源區241與陽極通過第一金屬互聯線201電連接、第一個第二種導電類型重摻雜有源區242與第三個第一種導電類型重摻雜有源區262通過第三金屬互聯線短接，所述第二個第一種導電類型重摻雜有源區251與第三個第二種導電類型重摻雜有源區261通過第四金屬互聯線短接、第二個第二種導電類型重摻雜有源區252與陰極通過第二金屬互聯線202電連接。

2.一種用于ESD保護的低壓雙向SCR器件，包括：第一SCR器件與第二SCR器件，所述第一SCR器件的陽極與第二SCR器件的陰極共同連接于同一PAD，第一SCR器件的陰極與第二SCR器件的陽極共同連接于同一PAD；其特征在于，所述第一SCR器件與第二SCR器件的結構相同、且與權利要求1所述單向SCR器件的結構相同。