[發明專利]一種基于外電場/等離子體調控碳納米管陣列表面親疏水的強化相變換熱方法及裝置

在審

• 申請號: 202110023987.9
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112857118A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 侯旭;周磊;王苗;何文;劉威
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: F28D20/02
• 分類號: F28D20/02
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;游學明

1.一種基于外電場/等離子體調控碳納米管陣列實現表面親疏水原位轉換的方法，包括如下步驟：

1)制備碳納米管陣列；

2)將碳納米管陣列的上下表面連接電極或者對碳納米管陣列表面等離子體處理；

3)通過對外電場/等離子體調控，實現對碳納米管陣列表面親疏水原位轉換。

2.根據權利要求1所述的一種基于外電場/等離子體調控碳納米管陣列實現表面親疏水原位轉換的方法在制備相變換熱裝置上的應用。

3.基于外電場/等離子體調控碳納米管陣列表面親疏水的相變換熱的系統，所述的系統包括電極和碳納米管陣列，所述的碳納米管陣列貼敷于強化相變的換熱器與設備表面，可以根據不同環境要求，通過外電場/等離子體調節表面親疏水性，控制系統與設備和外界環境之間的相變能量交換，實現對系統與設備溫度的自主控制與管理。

4.基于外電場/等離子體調控碳納米管陣列表面親疏水的相變換熱的強化裝置，其特征在于，所述的強化裝置包括兩腔室、用于隔離這兩腔室的隔熱層，以及貫穿所述隔熱層的換熱工件，所述的換熱工件一端位于其中一腔室內，且該端設有碳納米管陣列；另一端設于另一腔室；所述的碳納米管陣列連接電極或設有能夠對碳納米管陣列進行等離子體處理的裝置，通過對外電場/等離子體調控，實現對碳納米管陣列表面親疏水原位轉換。

5.如權利要求4所述的強化裝置，其特征在于：所述的換熱工件連接有熱電偶。

6.根據權利要求4所述的強化裝置，其特征在于：所述的換熱工件包括正叉指結構和負叉指結構，所述的負叉指結構可插接于正叉指結構內或脫離。

7.根據權利要求4所述的強化裝置，其特征在于：還包括冷卻液體或冷凝蒸汽。

8.根據權利要求4所述的強化裝置，其特征在于：還包括蒸汽發生裝置，其連接碳納米管陣列所在的腔室。

9.根據權利要求4所述的強化裝置，其特征在于：還包括高速攝像頭，其設于碳納米管陣列所在的腔室。

10.根據權利要求5所述的強化裝置，其特征在于：所述的熱電偶數量為四個，還包括采集四個等距離點溫度的信號數據采集器和電腦。