[發(fā)明專利]一種低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110023664.X | 申請日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN112853230B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賴敏杰;張恒;李金山;薛祥義;唐斌;陳彪;趙瑞峰 | 申請（專利權）人： | 西北工業(yè)大學 |
| 主分類號： | C22C38/38 | 分類號： | C22C38/38;C22C38/34;C22C30/00;C21D1/26;C21D1/74;C21D1/18;C21C5/52;C21D8/02 |
| 代理公司： | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 萬文會 |
| 地址： | 710200 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低層 錯能面心 立方 結構 形狀 記憶 合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金，其特征在于，所述合金的組成元素及原子百分數(shù)為：28％～32％Mn，8％～12％Cr，9％～12％Si，余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)元素；其中，所述合金中Mn、Cr、Si的總原子百分數(shù)不低于50％；所述合金中Fe和Mn的原子百分數(shù)之比不低于1.5；所述合金由100％的面心立方結構相組成。
2.一種權利要求1所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括感應熔煉、均勻化退火處理、熱軋?zhí)幚砑肮倘芴幚聿襟E，
其中所述固溶處理過程是在氬氣保護下經(jīng)1000～1100℃保溫1～2h后水冷淬火。
3.根據(jù)權利要求2所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，所述制備方法中以純度高于99.5％的純Fe、純Mn、純Cr、純Si為原料。
4.根據(jù)權利要求2所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述感應熔煉在真空中頻感應熔煉爐中進行，并采用氬氣作為保護氣氛。
5.根據(jù)權利要求4所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述氬氣壓力為0.8×105Pa，電壓為380V，感應電流的頻率為2500Hz。
6.根據(jù)權利要求2所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述感應熔煉重復進行3～5次，其中每一次熔煉完成后都翻轉合金鑄錠以進行下一次熔煉。
7.根據(jù)權利要求2所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述均勻化退火處理過程是在氬氣保護下經(jīng)1000～1100℃保溫10～12h后水冷淬火。
8.根據(jù)權利要求2所述的低層錯能面心立方結構高熵形狀記憶合金的制備方法，其特征在于：所述熱軋?zhí)幚硎窃?00℃保溫熱透后采用雙輥板帶軋機多道次軋制，每道次的形變率為15～25％，且在最后一道次之前的每道次軋制完后都回爐在900℃保溫5～10min，總熱軋形變率為60～70％。
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