[發明專利]一種腔室的清洗方法在審
| 申請號: | 202110023554.3 | 申請日: | 2021-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN114752918A | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發明(設計)人: | 鄒志文;崔虎山;鄒榮園;范思大;丁光輝;許開東 | 申請(專利權)人: | 江蘇魯汶儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;B08B7/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 沈進 |
| 地址: | 221300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 方法 | ||
1.一種腔室的清洗方法,其特征在于包括以下步驟:
第一步、關閉ICP-CVD反應腔室的分子泵,啟動干泵抽真空,將腔壓抽至于20-60mT;
第二步、通入清洗氣體,所述清洗氣體包括氟基氣體、含氧氣體和惰性氣體;
第三步、通過高頻電源啟輝,高頻電源的功率為100-600W,同時保持腔室的腔壓為0.8-4T;
第四步、將高頻電源的功率調高到600-3000W,從而形成清洗氣體的等離子體,并對腔室內進行清洗,在該高頻清洗過程中間歇啟動低頻電源,低頻電源的功率為20-3000W;清洗過程中保持腔室的腔壓為0.8-4T;
第五步、關閉干泵,啟動分子泵抽真空,將腔壓抽至于20mT下;
第六步、再次通入清洗氣體,啟動高頻電源,高頻電源的功率為600-3000W,從而形成清洗氣體的等離子體,對腔室進行清洗,在該高頻清洗過程中間歇啟動低頻電源,低頻電源的功率為20-3000W;清洗過程中腔壓保持在10-70mT,完成腔室的清洗。
2.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述步驟二中,所述清洗氣體中的氟基氣體的流量為1000-3000sccm、含氧氣體的流量為300-1000sccm、惰性氣體的流量為500-1000sccm。
3.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述步驟六中,所述清洗氣體中的氟基氣體的流量為600-1000sccm、含氧氣體的流量為200-600sccm、惰性氣體的流量為100-300sccm。
4.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述氟基氣體為CF4、C2H6、SF6、C4F8、CH2F2、CHF3中的一種或多種混合氣體。
5.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述含氧氣體為O2、N2O、O3中的一種或多種混合氣體。
6.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述惰性氣體為H2、He、Ar、N2中的一種或多種混合氣體。
7.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述步驟四中,高頻清洗時間為10-120s,間歇啟動低頻電源過程中,低頻電源的開啟時間為5-10s,停止時間為5-10s。
8.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述步驟六中,高頻清洗時間為10-120s,間歇啟動低頻電源過程中,低頻電源的開啟時間為5-10s,停止時間為5-10s。
9.根據權利要求1所述的一種腔室的清洗方法,其特征在于:所述步驟六中,低頻電源的功率為20-60W。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





