[發明專利]芯片封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110023444.7
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN113113392A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 葉書伸;林柏堯;鄭心圃;賴柏辰;李光君;楊哲嘉;汪金華;林義航
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/00;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種芯片封裝結構的形成方法，包括：

設置一第一芯片結構和一第二芯片結構于一線路基板之上，其中該第一芯片結構與該第二芯片相隔一間隙；以及

設置一環形結構于該線路基板之上，其中該環形結構具有一第一開口，該第一芯片結構和該第二芯片結構位于該第一開口中，該第一開口具有一第一內壁，該第一內壁具有一第一凹陷，且該間隙朝向該第一凹陷延伸。

2.如權利要求1所述的芯片封裝結構的形成方法，其中，設置該第一芯片結構和該第二芯片結構于該線路基板之上的步驟包括：

設置一封裝體于該線路基板之上，其中該封裝體包括：一重布線結構、以及位于該重布線結構之上的該第一芯片結構、該第二芯片結構和一底部填充層，且該底部填充層位于該間隙中、介于該第一芯片結構與該重布線結構之間、且介于該第二芯片結構與該重布線結構之間。

3.如權利要求1所述的芯片封裝結構的形成方法，還包括：

在設置該環形結構于該線路基板之上之前，形成一粘著層于該線路基板之上，其中該芯片結構位于該粘著層之上。

4.如權利要求3所述的芯片封裝結構的形成方法，其中，該粘著層具有在該第一開口下方的一第二開口，該第二開口具有一第二內壁，且該第二內壁具有在該第一凹陷下方的一第二凹陷。

5.如權利要求1所述的芯片封裝結構的形成方法，還包括：

設置一蓋件于該第一芯片結構之上。

6.一種芯片封裝結構的形成方法，包括：

設置一第一芯片結構和一第二芯片結構于一線路基板之上，其中該第一芯片結構與該第二芯片結構相隔一間隙；以及

設置一環形結構于該線路基板之上，其中該環形結構圍繞該第一芯片結構和該第二芯片結構，該環形結構包括：彼此連接的一第一較薄部分和一第一較厚部分，且該間隙靠近該第一較薄部分。

7.如權利要求6所述的芯片封裝結構的形成方法，其中，該環形結構包括：一第二較薄部分和一第二較厚部分，該第一較薄部分介于該第一較厚部分和該第二較厚部分之間且連接至該第一較厚部分和該第二較厚部分，并且該第二較薄部分介于該第一較厚部分和該第二較厚部分之間且連接至該第一較厚部分和該第二較厚部分。

8.一種芯片封裝結構，包括：

一線路基板；

一第一芯片結構和一第二芯片結構，位于該線路基板之上，其中該第一芯片結構與該第二芯片結構相隔一間隙；以及

一環形結構，位于該線路基板之上，其中該線路基板具有一開口，該第一芯片結構和該第二芯片結構位于該開口中，該開口具有一內壁，該內壁具有一凹陷，且該間隙朝向該凹陷延伸。

9.如權利要求8所述的芯片封裝結構，其中，該環形結構具有一外環和被該外環圍繞的一第一條狀部分，該第一條狀部分具有連接至該外環的一第一端和一第二端，且該凹陷位于該第一條狀部分中。

10.如權利要求8所述的芯片封裝結構，其中，該環形結構具有一較上部分和一較下部分，且該凹陷位于該較下部分中。