[發(fā)明專利]新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110023434.3
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112575318A
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵海平;李中華;劉莉云;曹英朝
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東諦思納為新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/40
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 陳培瓊

1.一種新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其包括中頻電源和放電電極，其特征在于：所述放電電極為固定不可旋轉(zhuǎn)設(shè)置，所述中頻電源與放電電極相連接，所述放電電極內(nèi)固定設(shè)有能將等離子體約束在其附近的永磁體，使放電電極附近區(qū)域形成高密度等離子體區(qū)域；被鍍基膜經(jīng)過所述高密度等離子體區(qū)域，且與所述放電電極之間具有間距。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述被鍍基膜與放電電極之間的間距為1.0mm～1.5mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述永磁體的數(shù)量為若干，均勻分布固定在所述放電電極內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述放電電極的側(cè)方位置設(shè)有能調(diào)整所述被鍍基膜與其之間間距的導(dǎo)向軸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，其還包括牽引所述被鍍基膜經(jīng)過所述高密度等離子體區(qū)域的主動輪。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子體增強(qiáng)化氣相沉積氧化物高阻隔膜放電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述被鍍基膜是連續(xù)、勻速經(jīng)過所述高密度等離子體區(qū)域。