[發明專利]一種圖像傳感器

在審

• 申請號: 202110022991.3
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112635507A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 尤小月
• 申請（專利權）人: 尤小月
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 潘志淵

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底；

溢出柵極結構，位于半導體襯底中，所述溢出柵極結構具有第一側表面和相對于第一側表面的第二側表面；

二極管摻雜區，位于所述溢出柵極結構的第一側表面半導體襯底中；

溢出漏區，位于所述溢出柵極結構的第二側表面半導體襯底中，所述溢出漏區電連接電源線；

所述溢出柵極結構的深度小于所述二極管摻雜區的深度且大于所述溢出漏區的深度。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括附加摻雜區，位于所述溢出柵極結構下方的半導體襯底中，所述附加摻雜區、所述二極管摻雜區以及所述溢出漏區彼此相互分立。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述附加摻雜區還包括第一附加摻雜區和第二附加摻雜區，所述第一附加摻雜區位于所述溢出柵極結構的底部中心位置處，所述第二附加摻雜區位于所述第一附加摻雜區的正下方。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一附加摻雜區與所述第二附加摻雜區之間的間隔為0.1微米。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一附加摻雜區與所述第二附加摻雜區的導電類型為N型，所述二極管摻雜區的導電類型為N型，所述溢出漏區的導電類型為N型。

6.根據權利要求1-4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述溢出柵極結構包括溢出柵絕緣層和位于溢出柵絕緣層上的溢出柵電極，所述溢出柵絕緣層包圍溢出柵電極的底部和側壁。