[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110022516.6
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112885715A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 劉金彪;羅軍;李俊峰;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L29/40;H01L29/417
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供包括源/漏區和柵極堆疊的襯底；

在源/漏區表面形成光吸收層；

采用激光加熱對形成有光吸收層的所述源/漏區進行非晶化注入處理，激光的能量為100mJ/cm²～10J/cm²；

去除所述光吸收層以露出非晶化注入處理的所述源/漏區表面；

在露出的非晶化注入處理的所述源/漏區表面形成摻雜膜層；

對形成有摻雜膜層的所述源/漏區表面進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述光吸收層為SiN薄膜、SiO₂薄膜或者SiON薄膜或其任意的組合。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述光吸收層的厚度為

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述摻雜膜層為摻雜有氧化硼或氧化磷的氧化硅薄膜。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述退火處理采用低功率激光退火，或者包含低功率激光退火的組合退火。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：還包括，

去除所述摻雜膜層；

在所述源/漏區表面形成金屬層；

對形成有金屬層的所述源/漏區表面進行二次退火處理。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于：

所述金屬層為Ti、Co、Ni或NiPt的金屬或其合金薄膜。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

在所述非晶化注入處理之前，還包括在所述柵極堆疊表面形成光反射層。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于：

所述光反射層為金屬薄膜，SiN薄膜或者SiON薄膜的一種或者兩種以上的組合。

10.根據權利要求1-9任意一項所述的制造方法，其特征在于：

所述激光的激光采用808nm/532/355nm/308nm/248nm的脈沖激光器，脈寬1ns-1us、頻率1～100kHz。