[發(fā)明專利]多層磁路組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110022243.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113314290A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 保羅·W·德懷爾;內(nèi)哈爾·庫(kù)爾卡尼;斯蒂芬·F·貝卡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 霍尼韋爾國(guó)際公司 |
| 主分類號(hào)： | H01F3/10 | 分類號(hào)： | H01F3/10;H01F3/12;H01F27/26 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 佘鵬;張一舟 |
| 地址： | 美國(guó)北卡*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 磁路 組件 | ||
1.一種磁路組件，所述磁路組件包括：
磁體組件，所述磁體組件限定輸入軸線，其中所述磁體組件包括：
極片，其中所述極片包括高磁導(dǎo)率材料；和
磁體，所述磁體位于所述極片下面；和
勵(lì)磁環(huán)，所述勵(lì)磁環(huán)包括：
基座，所述基座包括：
平臺(tái)層，所述平臺(tái)層位于所述磁體下面，其中所述平臺(tái)層包括高磁導(dǎo)率材料；
基座層，所述基座層位于所述平臺(tái)層下面；和
外環(huán)，所述外環(huán)覆蓋在所述基座層上面，其中所述外環(huán)圍繞所述磁體組件定位，其中所述外環(huán)的內(nèi)部部分面向所述磁體組件，并且其中所述外環(huán)的外部部分被配置為聯(lián)接到檢驗(yàn)質(zhì)量組件的外徑向部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁路組件，其中每種高磁導(dǎo)率材料具有大于約1500的最大相對(duì)磁導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁路組件，
其中所述外環(huán)的所述內(nèi)部部分的橫截面積小于所述外環(huán)的所述外部部分的橫截面積，
其中所述極片的下部部分的橫截面積小于所述極片的上部部分的橫截面積，并且
其中所述極片的內(nèi)部部分的橫截面積小于所述極片的外部部分的橫截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁路組件，
其中所述極片的所述內(nèi)部部分包括腔體，并且
其中所述腔體的上部部分處的所述腔體的直徑小于所述腔體的下部部分處的所述腔體的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁路組件，
其中所述外環(huán)包括一個(gè)或多個(gè)線性腔體，
其中所述勵(lì)磁環(huán)包括所述一個(gè)或多個(gè)線性腔體中的一個(gè)或多個(gè)線性模塊，并且
其中所述一個(gè)或多個(gè)線性模塊包括低磁導(dǎo)率材料。
6.一種換能器，所述換能器包括：
上部磁路組件；
下部磁路組件；和
檢驗(yàn)質(zhì)量組件，所述檢驗(yàn)質(zhì)量組件定位在所述上部磁路組件和所述下部磁路組件之間，
其中所述上部磁路組件和所述下部磁路組件中的每一者包括：
磁體組件，所述磁體組件限定輸入軸線，其中所述磁體組件包括：
極片，其中所述極片包括高磁導(dǎo)率材料；和
磁體，所述磁體位于所述極片下面；和
勵(lì)磁環(huán)，所述勵(lì)磁環(huán)包括：
基座，所述基座包括：
平臺(tái)層，所述平臺(tái)層位于所述磁體下面，其中所述平臺(tái)層包括高磁導(dǎo)率材料；
基座層，所述基座層位于所述平臺(tái)層下面；和
外環(huán)，所述外環(huán)覆蓋在所述基座層上面，其中所述外環(huán)圍繞所述磁體組件定位，其中所述外環(huán)的內(nèi)部部分面向所述磁體組件，并且其中所述外環(huán)的外部部分被配置為聯(lián)接到檢驗(yàn)質(zhì)量組件的外徑向部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的換能器，其中每種高磁導(dǎo)率材料具有大于約1500的最大相對(duì)磁導(dǎo)率。
8.一種形成磁路組件的方法，所述方法包括：
形成基座層和外環(huán)，所述外環(huán)覆蓋在所述基座層上面；
在所述基座層的表面上形成平臺(tái)層以形成勵(lì)磁環(huán)，其中所述平臺(tái)層包括高磁導(dǎo)率材料；
在所述平臺(tái)層的上表面上形成磁體；以及
在所述磁體的上表面上形成極片，其中所述極片包括高磁導(dǎo)率材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中每種高磁導(dǎo)率材料具有大于約1500的最大相對(duì)磁導(dǎo)率。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，
其中形成所述外環(huán)還包括將高磁導(dǎo)率材料增材沉積在所述基座層的所述上表面上，
其中形成所述極片還包括將所述高磁導(dǎo)率材料增材沉積在所述磁體的所述上表面上，
其中所述外環(huán)的內(nèi)部部分的橫截面積小于所述外環(huán)的外部部分的橫截面積，
其中所述極片的下部部分的橫截面積小于所述極片的上部部分的橫截面積，并且
其中所述極片的內(nèi)部部分的橫截面積小于所述極片的外部部分的橫截面積。
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