[發明專利]基于疊片結構的BaZr0.2 有效
| 申請號： | 202110022043.X | 申請日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN112853267B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 方小英;成宏卜;陳彧芳;張偉;張雪花;胡芳仁 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/04;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 趙淑芳 |
| 地址： | 210012 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 結構 bazr base sub 0.2 | ||
1.一種基于疊片結構的BaZr0.2Ti0.8O3多層薄膜，其特征在于，包括若干層交替錯位沉積在基片上電極層和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層，電極層厚度50-300nm，BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層厚度為100nm-2μm，所述電極層材料為鉑、鎳酸鑭和釕酸鍶中的任一種；
所述的基于疊片結構的BaZr0.2Ti0.8O3多層薄膜的制備方法包括以下步驟：
（1）將基片置于磁控濺射儀的基片夾上，在基片上沉積電極層，然后向左平移基片夾上的掩膜板，錯位沉積BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層，繼續向左平移掩膜板，錯位沉積電極層，制備得到疊片結構的單層BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層；
（2）向右平移掩膜板，錯位沉積BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層；繼續向右平移掩膜板，錯位沉積電極層，此時制備得到疊片結構的雙層BaZr0.2Ti0.8O3薄膜層；
（3）重復步驟（2）-（3），沉積所需層數的多層薄膜，直至鍍膜結束；
所述步驟（1）和步驟（2）中掩膜板的平移量相同，且單次平移量限制為0.5 mm-2 mm。
2.根據權利要求1所述的基于疊片結構的BaZr0.2Ti0.8O3多層薄膜，其特征在于，所述基片材料為硅、氧化鎂和鈦酸鍶中的任一種。
3.根據權利要求1所述的基于疊片結構的BaZr0.2Ti0.8O3多層薄膜，其特征在于，所述電極層之間交替分離。
4.根據權利要求1所述的基于疊片結構的BaZr0.2Ti0.8O3多層薄膜，其特征在于，所述步驟（1）中磁控濺射沉積前，磁控濺射儀鍍膜腔室內抽真空至2*10-4 Pa。
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