[發明專利]一種制備納米晶磁芯的熱處理方法有效
| 申請號: | 202110020308.2 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN112831641B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 李雪蓮;潘琳茹;王麗 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | C21D9/00 | 分類號: | C21D9/00;H01F41/02;C21D1/26;C21D6/00 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 王素平 |
| 地址: | 264209 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 納米 晶磁芯 熱處理 方法 | ||
本發明提供了一種制備納米晶磁芯的熱處理方法,包括步驟如下:將淬態鐵基非晶合金帶材卷繞成環狀磁芯;圍繞環狀磁芯的外周設置有銅帶卷,所述銅帶卷內側與環狀磁芯外側的間距為0.5~1mm;之后置于石英管中,抽真空,再將石英管置于升溫至退火溫度的退火爐中,進行保溫;保溫結束后,隨爐冷卻至563K~583K,之后水冷降溫至室溫,拆掉銅帶卷,得到納米晶磁芯。本發明的熱處理方法利用銅良好的導熱性改善磁芯的溫度分布,促進磁芯內部和外部達到同時結晶,提高初始磁導率,縮短退火時間,進而提高熱處理效率。
技術領域
本發明涉及一種制備納米晶磁芯的熱處理方法,屬于金屬材料加工技術領域。
背景技術
鐵基非晶合金材料,是以鐵元素為主,加入少量的Nb、Cu、Si、B元素,通過快速急冷技術形成的一種非晶態材料,其經熱處理以后可獲得直徑為10-20nm的微晶,彌散分布在非晶態的基體上,從而得到鐵基納米晶合金材料。與非晶合金相比,納米晶材料在高頻下更具有優異的軟磁性能,主要體現在損耗降低和磁導率升高等方面,這使得鐵基納米晶材料廣泛應用于變壓器、傳感器以及微型電子設備上。
納米晶磁芯是用非晶合金帶材進行熱處理,使得帶材內部形成納米晶晶粒,并具備一定導磁性能的環形器件,一般包括母材熔煉、帶材噴制、繞制成環、熱處理等加工環節,其中熱處理對得到高性能的納米晶磁芯至關重要。
目前,傳統的熱處理方法為將非晶合金材料在晶化溫度以上熱處理,使其變成非晶-納米晶雙相結構,從而得到納米晶磁芯,但是現有的熱處理工藝中,晶粒長大速度較快,同時不同位置的晶粒尺寸差距比較大,退火均勻性較差,所得納米晶磁芯的初始磁導率較低,矯頑力較大,不利于獲得優異軟磁性能的納米晶鐵芯?,F有技術中常常通過外加磁場退火來提高初始磁導率。例如:中國專利文件CN109192431A提供了一種抗直流偏置鐵基納米晶合金磁芯及制備方法,其中熱處理工藝為在1200-2000GS的橫向磁場下,520-570℃下保溫100-150min,350-570之間分段設置工藝,冷卻到200℃出爐。但是外加磁場對退火設備提出了較高較復雜的要求,對于不合格的產品還需進行二次磁場處理,工藝周期較長。
因此,尋求高效的熱處理工藝對于制備納米晶磁芯尤為重要。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提供了一種制備納米晶磁芯的熱處理方法。本發明的熱處理方法利用銅良好的導熱性,調節合適的退火溫度、退火時間以及合理的磁芯/銅厚度比例,控制晶化,提高初始磁導率,降低矯頑力,并可以縮短退火時間,提高熱處理效率,從而得到高性能的納米晶磁芯。
術語說明:
淬態:單輥旋淬法制備的非晶帶材未經熱處理的非晶狀態。
本發明的技術方案如下:
一種制備納米晶磁芯的熱處理方法,包括步驟如下:
將淬態鐵基非晶合金帶材卷繞成環狀磁芯;圍繞環狀磁芯的外周設置有銅帶卷,所述銅帶卷內側與環狀磁芯外側的間距為0.5~1mm;
之后置于石英管中,抽真空,再將石英管置于升溫至退火溫度的退火爐中,進行保溫;保溫結束后,隨爐冷卻至563K~583K,之后水冷降溫至室溫,拆掉銅帶卷,得到納米晶磁芯。
根據本發明優選的,所述的環狀磁芯的厚度為2mm;所述環狀磁芯的厚度為環狀磁芯的內外半徑之差,所述環狀磁芯的繞制方法為本領域現有技術。
根據本發明優選的,所述的銅帶卷是由銅帶材繞制而成,所述銅帶材的厚度為0.1mm;所述的銅帶卷的高度與環狀磁芯的高度相同。所述的銅帶卷層與層之間緊密接觸,銅帶材卷繞制備銅帶卷時,外側收尾處使用點焊固定。
根據本發明優選的,所述的環狀磁芯與銅帶卷的厚度比為2.5~4:1。
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