[發(fā)明專利]包含組合存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體組合件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110019992.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113161326A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林景程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：

裸片堆疊，其包含彼此上下豎直堆疊的一組裸片，所述一組裸片包含：

至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片，其配置成在電力可用時(shí)存儲(chǔ)易失性數(shù)據(jù)，

至少一個(gè)非易失性NV存儲(chǔ)器裸片，其配置成在電力不可用時(shí)保持NV數(shù)據(jù)；以及

直接附接到所述裸片堆疊上的控制器裝置，所述控制器裝置配置成提供到所述裸片堆疊的接口并控制所述裸片堆疊的操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片包含電耦合到所述控制器裝置的硅穿通孔TSV；且

所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片附接到所述易失性存儲(chǔ)器裸片上和上方，所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片電耦合到所述TSV。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述控制器裝置包括控制器裸片；且

所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片直接附接到所述控制器裸片上和上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述TSV包括至少所述控制器裸片和所述至少一個(gè)NV裸片之間的直接裸片間連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述裸片堆疊和所述控制器裸片的中心部分對(duì)齊，所述中心部分與豎直線一致；且

所述控制器裸片沿著橫向方向突出超過(guò)所述裸片堆疊的周邊邊緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述裸片堆疊在其周邊邊緣和相對(duì)邊緣之間具有共同長(zhǎng)度；

所述控制器裸片在其周邊邊緣和相對(duì)邊緣之間具有所述共同長(zhǎng)度；且

所述裸片堆疊和所述控制器裸片的周邊邊緣對(duì)齊，所述周邊邊緣與豎直平面一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片和所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片各自在周邊邊緣和相對(duì)邊緣之間具有共同長(zhǎng)度；且

所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片和所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片的周邊邊緣對(duì)齊，所述周邊邊緣與豎直平面一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述控制器裝置配置成傳遞一開(kāi)始存儲(chǔ)在所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片或所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片中的任一者中的數(shù)據(jù)，并且將所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片或所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片中的另一者中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述至少一個(gè)易失性存儲(chǔ)器裸片包括包含兩個(gè)或更多個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM裸片的高帶寬存儲(chǔ)器HBM裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片包括至少一個(gè)NAND存儲(chǔ)器裸片。

11.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：

封裝襯底；

附接到所述封裝襯底的邏輯裝置；以及

附接到所述封裝襯底上的豎直堆疊式組合VC存儲(chǔ)器裝置，其中所述VC存儲(chǔ)器裝置是包含以下的裸片堆疊：

至少一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM裸片，

至少一個(gè)非易失性NV存儲(chǔ)器裸片，和

電耦合到所述封裝襯底、所述至少一個(gè)DRAM裸片和所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片的控制器裸片，所述控制器裸片配置成提供所述裸片堆疊的外部接口并控制所述裸片堆疊的操作，

其中所述裸片堆疊包含彼此附接且彼此上下豎直堆疊的所述至少一個(gè)DRAM裸片、所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片和所述控制器裸片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述至少一個(gè)DRAM裸片包括包含附接到所述控制器裸片上和上方的多個(gè)DRAM裸片的高帶寬存儲(chǔ)器HBM裝置；且

所述至少一個(gè)NV存儲(chǔ)器裸片包含附接到所述HBM裝置上和上方的至少一個(gè)NAND存儲(chǔ)器裸片。