[發明專利]晶體等徑生長控制方法及晶體等徑生長控制裝置

在審

• 申請號: 202110019609.3
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112853478A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 毛勤虎;沈福哲;金珍根
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司
• 主分類號: C30B15/22
• 分類號: C30B15/22;C30B29/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種晶體等徑生長控制方法，其特征在于，包括：

S1：設置等徑過程中晶體生長的參數，其中，晶體生長的參數包括晶體直徑；

S2：獲取預設時間段內的晶棒的平均生長拉速，所述預設時間段包括當前時間點之前的第一子預設時間段和當前時間點之后的第二子預設時間段；

S3：將步驟S2中獲得的所述平均生長拉速與當前時間點的預設目標拉速進行對比，并輸出對比結果；

S4：根據所述對比結果控制晶棒生長溫度。

2.根據權利要求1所述的晶體等徑生長控制方法，其特征在于，步驟S2具體包括：

S21：獲得所述第一子預設時間段內，已經拉出的晶棒的生長拉速的第一總和值；

S22：獲得所述第二子預設時間段內，預將拉出的晶棒的預設拉速的第二總和值；

S4：通過所述第一總和值和所述第二總和值獲取所述預設時間段內的晶棒的平均生長拉速。

3.根據權利要求2所述的晶體等徑生長控制方法，其特征在于，步驟S21具體包括：

獲取所述第一子預設時間段內的直徑；

根據所述直徑，通過PID算法獲得所述第一總和值。

4.根據權利要求1所述的晶體等徑生長控制方法，其特征在于，所述第一子預設時間段的時長等于所述第二子預設時間段的時長。

5.一種晶體等徑生長控制裝置，用于實現權利要求1-4任一項所述的晶體等徑生長控制方法，其特征在于，包括：

設置單元，用于設置等徑過程中晶體生長的參數；

平均生長拉速獲取模塊，用于獲取預設時間段內的晶棒的平均生長拉速，所述預設時間段包括當前時間點之前的第一子預設時間段和當前時間點之后的第二子預設時間段；

比較模塊，用于將所述平均生長拉速與當前時間點的預設目標拉速進行對比，并輸出對比結果；

控制模塊，用于根據所述對比結果控制晶棒生長溫度。

6.根據權利要求5所述的晶體等徑生長控制裝置，其特征在于，所述平均生長拉速獲取單元包括：

第一獲取單元，用于獲得所述第一子預設時間段內，已經拉出的晶棒的生長拉速的第一總和值；

第一獲取單元，用于獲得所述第二子預設時間段內，預將拉出的晶棒的預設拉速的第二總和值；

第三獲取單元，用于通過所述第一總和值和所述第二總和值獲取所述預設時間段內的晶棒的平均生長拉速。

7.根據權利要求6所述的晶體等徑生長控制裝置，其特征在于，所述第一獲取單元包括：

第一子獲取單元，用于獲取所述第一子預設時間段內的直徑；

第二子獲取單元，用于根據所述直徑，通過PID算法獲得所述第一總和值。

8.一種電子設備，其特征在于，包括處理器，存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執行時實現如權利要求1-4中任一項所述的方法的步驟。

9.一種可讀存儲介質，其特征在于，所述可讀存儲介質上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執行時實現如權利要求1-4中任一項所述的方法的步驟。