[發(fā)明專利]用于在襯底之上涂覆光致抗蝕劑的方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110017143.3
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN113156769A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮東鴻;李蕙君;江勝文;王士哲
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 楊佳婧

本申請涉及用于在襯底之上涂覆光致抗蝕劑的方法和裝置。在一種在晶圓之上涂覆光致抗蝕劑的方法中，在旋轉(zhuǎn)晶圓時(shí)開始從噴嘴在晶圓之上分配光致抗蝕劑，并在旋轉(zhuǎn)晶圓時(shí)停止分配光致抗蝕劑。在開始分配光致抗蝕劑之后并且停止分配光致抗蝕劑之前，改變晶圓旋轉(zhuǎn)速度至少4次。在分配期間，保持噴嘴的臂可水平移動(dòng)。噴嘴的尖端可位于距晶圓的2.5mm至3.5mm的高度處。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體涉及用于在襯底之上涂覆光致抗蝕劑的方法和裝置。

背景技術(shù)

光刻操作是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵操作之一。光刻技術(shù)包括紫外光刻、深紫外光刻和極紫外光刻(EUVL)。光刻操作通常是高成本工藝，并且降低成本是要解決的問題之一。具體地，在EUV光刻中，光致抗蝕劑的成本比深UV光致抗蝕劑的成本高得多。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種在晶圓之上涂覆光致抗蝕劑的方法，包括：在旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)開始從噴嘴在所述晶圓之上分配所述光致抗蝕劑；在旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)停止分配所述光致抗蝕劑；以及在開始分配所述光致抗蝕劑之后并且停止分配所述光致抗蝕劑之前，改變晶圓旋轉(zhuǎn)速度至少4次。

根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種在晶圓之上涂覆光致抗蝕劑的方法，包括：在以第一速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)開始從噴嘴分配所述光致抗蝕劑；在以與所述第一速度不同的第二速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑達(dá)第二持續(xù)時(shí)間T2；在以與所述第二速度不同的第三速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑達(dá)第三持續(xù)時(shí)間T3；在以與所述第三速度不同的第四速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑達(dá)第四持續(xù)時(shí)間T4；在以第五速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓并將所述噴嘴從所述晶圓的中心向所述晶圓的邊緣水平移動(dòng)時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑；以及在停止所述噴嘴的移動(dòng)之后，在以與所述第五速度不同的第六速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)停止分配所述光致抗蝕劑。

根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種光致抗蝕劑涂覆裝置，包括：晶圓保持器，被配置為支撐晶圓并旋轉(zhuǎn)所述晶圓；噴嘴，被配置為分配光致抗蝕劑；臂，耦合至所述噴嘴并被配置為水平地和垂直地移動(dòng)所述噴嘴；以及控制系統(tǒng)，包括處理器以及存儲(chǔ)程序和涂覆配方的存儲(chǔ)器，并被配置為根據(jù)所述涂覆配方來控制所述晶圓保持器、所述噴嘴和所述臂，其中：所述程序在由所述處理器執(zhí)行時(shí)使所述控制系統(tǒng)執(zhí)行以下操作：在以第一速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)開始從所述噴嘴分配所述光致抗蝕劑；在以與所述第一速度不同的第二速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑；在以與所述第二速度不同的第三速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑；在以與所述第三速度不同的第四速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑；在以第五速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓并將所述噴嘴從所述晶圓的中心向所述晶圓的邊緣水平移動(dòng)時(shí)持續(xù)分配所述光致抗蝕劑；以及在停止所述噴嘴的移動(dòng)之后，在以與所述第五速度不同的第六速度旋轉(zhuǎn)所述晶圓時(shí)停止分配所述光致抗蝕劑。

附圖說明

圖1A和圖1B是根據(jù)本公開實(shí)施例的光致抗蝕劑涂覆裝置的示意圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E和圖2F示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于在晶圓/襯底上涂覆光致抗蝕劑的序列工藝的各個(gè)階段。圖2G示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的抗蝕劑涂覆序列(配方)。

圖3示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的噴嘴高度效應(yīng)。

圖4A、圖4B和圖4C示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的各種噴嘴配置。

圖5A、圖5B和圖5C示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的各種噴嘴配置。

圖6A和圖6B示出根據(jù)本公開實(shí)施例的噴嘴高度和噴嘴尺寸的效應(yīng)。

圖7A和圖7B示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的抗蝕劑分配量的減少效應(yīng)。

具體實(shí)施方式