[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110016334.8
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112635496A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡小波
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/768
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基底；

在所述基底上形成一第一金屬基層，所述第一金屬基層的材料為鋁；

在所述第一金屬基層上沉積銅原子，擴(kuò)散至所述第一金屬基層中的所述銅原子與所述第一金屬基層中的鋁原子形成銅鋁合金，所述銅鋁合金在所述基底上形成一第一合金層，未擴(kuò)散至所述第一金屬基層中的所述銅原子在所述第一合金層上形成一第一金屬層，所述第一合金層和所述第一金屬層形成柵極結(jié)構(gòu)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上形成一第一金屬基層的步驟，包括：

提供一第一靶材，所述第一靶材的材料為鋁；

在所述基底上沉積從所述第一靶材中濺射出的鋁原子，以形成一第一金屬基層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成一第一合金層和一第一金屬層的步驟，包括：

提供一第二靶材，所述第二靶材的材料為銅；

在所述第一金屬基層上沉積從所述第二靶材中濺射出的銅原子，所述銅原子擴(kuò)散至所述第一金屬基層中，并與所述第一金屬基層中的鋁原子形成銅鋁合金，所述銅鋁合金在所述基底上形成一第一合金層；

繼續(xù)在所述第一合金層上沉積所述銅原子，以形成一第一金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成一第一合金層的步驟，包括：

在所述第一金屬基層上沉積從所述第二靶材中濺射出的銅原子，所述銅原子擴(kuò)散至所述第一金屬基層遠(yuǎn)離所述基底的部分中，并與所述第一金屬基層中的鋁原子形成銅鋁合金，所述第一金屬基層未摻雜所述銅原子的部分為第二金屬層，所述銅鋁合金在所述第二金屬層上形成一第一合金層，所述第一合金層的厚度大于所述第二金屬層的厚度，所述第一金屬層、所述第一合金層和所述第二金屬層形成所述柵極結(jié)構(gòu)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成一第一合金層和一第一金屬層的步驟，包括：

提供一第二靶材，所述第二靶材的材料為銅；

在所述第一金屬基層上沉積從所述第二靶材中濺射出的銅原子，以形成一第二金屬基層；

在一預(yù)設(shè)溫度下，所述第二金屬基層中的所述銅原子擴(kuò)散至所述第一金屬基層中，并與所述第一金屬基層中的鋁原子形成銅鋁合金，所述銅鋁合金在所述基底上形成一第一合金層，所述第二金屬基層中未擴(kuò)散至所述第一金屬基層的所述銅原子在所述第一合金層上形成一第一金屬層,所述預(yù)設(shè)溫度介于300攝氏度-400攝氏度之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成一第一合金層的步驟，包括：

在所述預(yù)設(shè)溫度下，所述第二金屬基層中的所述銅原子擴(kuò)散至所述第一金屬基層遠(yuǎn)離所述基底的部分中，并與所述第一金屬基層中的鋁原子形成銅鋁合金，所述第一金屬基層未摻雜所述銅原子的部分為第二金屬層，所述銅鋁合金在所述第二金屬層上形成一第一合金層，所述第一合金層的厚度大于所述第二金屬層的厚度，所述第一金屬層、所述第一合金層和所述第二金屬層形成所述柵極結(jié)構(gòu)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一金屬基層的厚度介于10埃-200埃之間。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基底；以及

柵極結(jié)構(gòu)層，所述柵極結(jié)構(gòu)層包括依次設(shè)置于所述基底上的第一合金層和第一金屬層，所述第一合金層的材料為銅鋁合金，所述第一金屬層的材料為銅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)層還包括第二金屬層，所述第二金屬層設(shè)置于所述第一合金層靠近所述基底的一側(cè)，所述第一合金層的厚度大于所述第二金屬層的厚度。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求8或9所述的陣列基板。