[發明專利]處理基板的裝置以及處理基板的方法在審
| 申請號: | 202110016234.5 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN113140481A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 田中澄;小林民宏 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種處理基板的裝置,其中,
該處理基板的裝置包括:
處理腔室,其具備用于處理所述基板的處理室;
加熱部,其加熱所述處理腔室;
支承部,其具備基座和載物臺,該基座與所述處理腔室熱隔離,并固定于所述處理腔室,在將所述基座相對于所述處理腔室被固定的位置設為基準位置時,該載物臺在與所述基準位置沿水平方向分開的位置在支承于所述基座的狀態下插入于朝向所述處理室設置的開口,并將所述基板保持于所述處理室內;
載物臺周邊構件,其沿著插入到所述開口的狀態下的所述載物臺的周邊設于所述處理腔室內;
第1定位銷,其為了對所述載物臺周邊構件進行定位而固定于所述處理腔室;以及
第2定位銷,在俯視時,在從所述基準位置進行觀察的情況下,該第2定位銷固定于比所述第1定位銷遠的位置,
所述載物臺周邊構件包括:
第1孔部,其為了使所述載物臺周邊構件相對于所述處理腔室固定而供所述第1定位銷插入;以及
第2孔部,其供所述第2定位銷插入,該第2孔部沿著所述第2定位銷與伴隨著由所述加熱部進行的加熱狀態和非加熱狀態的切換產生的所述處理腔室的膨脹收縮相對應地移動的方向而形成為長孔形狀。
2.根據權利要求1所述的處理基板的裝置,其中,
設有多組所述第2孔部和插入于該第2孔部的所述第2定位銷的組合。
3.根據權利要求1或2所述的處理基板的裝置,其中,
所述載物臺周邊構件由環狀構件構成,所述環狀構件的開口設于如下所述的位置:在所述處理腔室成為所述加熱狀態而膨脹時,借助固定于所述基準位置的所述基座支承的所述載物臺成為位于所述環狀構件的中央的狀態。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述處理腔室包括多個所述處理室,該多個所述處理室分別供所述載物臺配置,并且供與這些載物臺相對應的所述載物臺周邊構件配置,
所述支承部包括支承多個所述載物臺的共用的所述基座。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述載物臺周邊構件為劃分所述載物臺的上方的所述處理室的氣氛和所述載物臺的下方側的氣氛的分隔環。
6.根據權利要求1~4中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述載物臺周邊構件為迷宮構件,該迷宮構件形成為與所述載物臺的側面的形狀相對應,并在所述載物臺的周緣與所述處理腔室之間形成迷宮構造。
7.根據權利要求1~4中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述載物臺周邊構件為夾緊構件,該夾緊構件覆蓋被保持于所述載物臺的所述基板的周緣部的上表面。
8.根據權利要求1~4中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
為了對所述基板進行處理,該裝置包括使向所述處理室供給的處理氣體等離子體化的等離子體形成部,
所述載物臺周邊構件為聚流環,該聚流環用于向被載置于所述載物臺的所述基板均勻地供給由所述等離子體形成部形成的等離子體。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述支承部具備升降機構,該升降機構使所述載物臺相對于所述基座升降,從而使所述載物臺在設定于所述開口的下方側的所述基板的交接位置與用于處理所述基板的處理位置之間升降。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的處理基板的裝置,其中,
所述基座利用設于所述基準位置的第1緊固銷和設于與所述基準位置分開的位置的第2緊固銷緊固于所述處理腔室,所述第2緊固銷貫通緊固孔部而固定于所述處理腔室,該緊固孔部形成于構成所述基座并與所述處理腔室緊固的構件,該緊固孔部沿著所述第2緊固銷與所述處理腔室的所述膨脹收縮相對應地移動的方向而形成為長孔形狀。
11.一種處理基板的方法,其中,
該處理基板的方法使用處理所述基板的裝置,該裝置包括:
處理腔室,其具備用于處理基板的處理室;
加熱部,其加熱所述處理腔室;
支承部,其具備基座和載物臺,該基座與所述處理腔室熱隔離,并固定于所述處理腔室,在將所述基座相對于所述處理腔室被固定的位置設為基準位置時,該載物臺在與所述基準位置沿水平方向分開的位置在支承于所述基座的狀態下插入于朝向所述處理室設置的開口,并將所述基板保持于所述處理室內;
載物臺周邊構件,其沿著插入到所述開口的狀態下的所述載物臺的周邊設于所述處理腔室內;第1定位銷,其為了對所述載物臺周邊構件進行定位而固定于所述處理腔室;以及第2定位銷,在俯視時,在從所述基準位置進行觀察的情況下,該第2定位銷固定于比所述第1定位銷遠的位置,
所述載物臺周邊構件包括:第1孔部,其為了使所述載物臺周邊構件相對于所述處理腔室固定而供所述第1定位銷插入;以及第2孔部,其供所述第2定位銷插入,該第2孔部沿著所述第2定位銷與伴隨著由所述加熱部進行的加熱狀態和非加熱狀態的切換產生的所述處理腔室的膨脹收縮相對應地移動的方向而形成為長孔形狀,
該方法具有以下工序:
將所述處理腔室從所述非加熱狀態向所述加熱狀態切換;
與伴隨著向所述加熱狀態的切換產生的所述處理腔室的膨脹相對應地使所述第2定位銷沿著所述第2孔部移動,并且使借助固定于所述基準位置的所述基座而支承的所述載物臺位于所述載物臺周邊構件的中央位置;以及
在使所述載物臺位于所述中央位置的狀態下,將所述基板朝向所述處理室保持,進行所述基板的處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





