[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器陣列和用于形成存儲(chǔ)器陣列的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110016053.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN113206096A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·N·賈殷;羅雙強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本公開涉及存儲(chǔ)器陣列和用于形成存儲(chǔ)器陣列的方法。一種用于形成包括存儲(chǔ)器單元串的存儲(chǔ)器陣列的方法包括：形成包括豎直交替的第一層和第二層的堆疊，其中具有溝道材料串。導(dǎo)電通孔穿過所述溝道材料串正上方的絕緣材料形成。所述導(dǎo)電通孔中的個(gè)別導(dǎo)電通孔直接電耦合到所述溝道材料串中的個(gè)別溝道材料串。在形成所述導(dǎo)電通孔之后，在所述堆疊中形成水平拉長的溝槽以形成橫向間隔開的存儲(chǔ)器塊區(qū)域。居間材料形成于所述溝槽中、橫向處于橫向緊鄰的存儲(chǔ)器塊區(qū)域之間且在縱向上沿著所述橫向緊鄰的存儲(chǔ)器塊區(qū)域。公開與方法無關(guān)的額外方法和結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中所公開的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器陣列且涉及用于形成存儲(chǔ)器陣列的方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器是一種集成電路系統(tǒng)且在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器可制造于個(gè)別存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)陣列中。可使用數(shù)字線(其也可稱作位線、數(shù)據(jù)線或感測(cè)線)和存取線(其也可稱作字線)對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行寫入或從存儲(chǔ)器單元進(jìn)行讀取。感測(cè)線可沿著陣列的各列使存儲(chǔ)器單元以導(dǎo)電方式互連，且存取線可沿著陣列的各行使存儲(chǔ)器單元以導(dǎo)電方式互連。每一存儲(chǔ)器單元可通過感測(cè)線與存取線的組合唯一地尋址。

存儲(chǔ)器單元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存儲(chǔ)器單元可在不通電的情況下將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)很長一段時(shí)間。通常將非易失性存儲(chǔ)器指定為具有至少約10年保留時(shí)間的存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器會(huì)耗散，且因此刷新/重寫以維持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。易失性存儲(chǔ)器可具有數(shù)毫秒或更少的保留時(shí)間。無論如何，存儲(chǔ)器單元被配置成在至少兩個(gè)不同的可選擇狀態(tài)下保留或存儲(chǔ)存儲(chǔ)內(nèi)容。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，狀態(tài)被認(rèn)為是“0”或“1”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個(gè)別存儲(chǔ)器單元可被配置成存儲(chǔ)多于兩個(gè)位或狀態(tài)的信息。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種可用于存儲(chǔ)器單元中的電子組件。這些晶體管包括一對(duì)導(dǎo)電源極/漏極區(qū)域，所述一對(duì)導(dǎo)電源極/漏極區(qū)域在其間具有半導(dǎo)電溝道區(qū)域。導(dǎo)電柵極鄰近于溝道區(qū)域且通過薄的柵極絕緣體與溝道區(qū)域分開。向柵極施加合適的電壓允許電流通過溝道區(qū)域從源極/漏極區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域流動(dòng)到另一個(gè)區(qū)域。當(dāng)從柵極移除電壓時(shí)，大大地防止了電流流動(dòng)通過溝道區(qū)域。場(chǎng)效應(yīng)晶體管還可包含額外結(jié)構(gòu)，例如，作為柵極絕緣體與導(dǎo)電柵極之間的柵極構(gòu)造的部分的可以可逆方式編程的電荷存儲(chǔ)區(qū)域。

快閃存儲(chǔ)器是一種類型的存儲(chǔ)器，且大量用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和裝置中。舉例來說，現(xiàn)代個(gè)人計(jì)算機(jī)可將BIOS存儲(chǔ)在快閃存儲(chǔ)器芯片上。作為另一實(shí)例，越來越常見的是，計(jì)算機(jī)和其它裝置利用呈固態(tài)驅(qū)動(dòng)器的快閃存儲(chǔ)器替代常規(guī)硬盤驅(qū)動(dòng)器。作為又一實(shí)例，快閃存儲(chǔ)器在無線電子裝置中普及，這是因?yàn)榭扉W存儲(chǔ)器使得制造商能夠在新的通信協(xié)議變得標(biāo)準(zhǔn)化時(shí)支持所述新的通信協(xié)議，且使得制造商能夠提供針對(duì)增強(qiáng)特征遠(yuǎn)程升級(jí)裝置的能力。

NAND可以是集成式快閃存儲(chǔ)器的基本架構(gòu)。NAND單元部件包括串聯(lián)耦合到存儲(chǔ)器單元的串聯(lián)組合的至少一個(gè)選擇裝置(其中所述串聯(lián)組合通常被稱為NAND串)。NAND架構(gòu)可按三維布置配置，其包括豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元，所述豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元單獨(dú)地包括可以可逆方式編程的豎直晶體管。控制電路系統(tǒng)或其它電路系統(tǒng)可形成于豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元下方。其它易失性或非易失性存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)還可包括單獨(dú)地包括晶體管的豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元。

存儲(chǔ)器陣列可布置于存儲(chǔ)器頁、存儲(chǔ)器塊和部分塊(例如，子塊)和存儲(chǔ)器平面中，例如如美國專利申請(qǐng)公開案第2015/0228659號(hào)、第2016/0267984號(hào)和第2017/0140833號(hào)中的任一者中所展示和描述。存儲(chǔ)器塊可至少部分地界定豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元的個(gè)別字線層中的個(gè)別字線的縱向輪廓。與這些字線的連接可在豎直堆疊的存儲(chǔ)器單元的陣列的末端或邊緣處所謂的“階梯結(jié)構(gòu)”中發(fā)生。階梯結(jié)構(gòu)包含個(gè)別“臺(tái)階”(替代地稱為“階”或“階梯”)，其界定個(gè)別字線的接觸區(qū)域，豎向延伸的導(dǎo)電通孔在所述接觸區(qū)域上接觸以提供對(duì)字線的電存取。

發(fā)明內(nèi)容