[發明專利]一種半導體晶粒分離加工工藝

在審

• 申請號: 202110015869.3
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112542423A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 周榮;李英男;陶永發;王林;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/67
• 代理公司: 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283
• 代理人: 葛軍

一種半導體晶粒分離加工工藝。提供了一種方便操作，提高工作效率和產品質量的半導體晶粒分離加工工藝。包括以下步驟：S1、墨水打標；在晶片的不良品晶粒上打上黏性墨水；S2、烘烤；將晶片經過60?120℃的高溫烘烤10?60min；S3、切割；通過激光切割晶片呈半切透狀；S4、壓片：在晶片的P面先涂上一層無水乙醇后，再將晶片放置在兩張麥拉紙之間，然后，進行壓片，將晶片沿著切割痕裂成若干晶粒；S5、揭開晶片P面的麥拉紙，帶走不良品晶粒；S6、完成。所述黏性墨水為印刷油墨。本發明節省了時間，降低了成本。

技術領域

本發明涉及半導體加工領域，尤其涉及一種半導體晶粒分離加工工藝。

背景技術

目前業內的晶圓不良品普遍使用人工單顆挑出的方法，人工效率低，單片成本高，且人工挑出不良品的方式存在誤挑及漏挑現象，導致墨點不良品晶粒流入到客戶端，造成客訴，降低產品品質。

國家知識產權局于2017.01.11公布的申請號為201610741992.2，名稱為“一種應用于半導體的磁力噴墨測試工藝”，其通過磁鐵吸附帶墨水的不合格晶粒，完成分離。然而，磁性墨水加工成本高，而且，磁性墨水容易吸附在相鄰的合格晶粒上，這樣，其中的鐵粉易造成合格晶粒氧化，造成后續封裝據焊，降低了產品質量。

在半導體市場競爭越演越烈的今天，客戶信任、降本增效是不懈的追求目標，在業內普遍仍使用低效的人工作業大環境下，研究一種高效、低風險、高穩定性的良品晶粒與不良品分離的技術是一個重大的技術突破。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種方便操作，提高工作效率和產品質量的半導體晶粒分離加工工藝。

本發明的技術方案為：包括以下步驟：

S1、墨水打標；在晶片的不良品晶粒上打上黏性墨水；

S2、烘烤；將晶片經過60-120℃的高溫烘烤10-60min；

S3、切割；通過激光切割晶片呈半切透狀；

S4、壓片：在晶片的P面先涂上一層無水乙醇后，再將晶片放置在兩張麥拉紙之間，然后，進行壓片，將晶片沿著切割痕裂成若干晶粒；

S5、揭開晶片P面的麥拉紙，帶走不良品晶粒；

S6、完成。

所述黏性墨水為印刷油墨。

步驟S3中，激光切割速度：100-800mm/s，切割頻率：5-90Khz，切割次數：1-10次，切割道寬度：10-60um。

本發明在工作中，首先在晶片的不良品晶粒上打上黏性墨水，然后，烘烤凝固黏性墨水，最后，激光切割壓片使用無水乙醇溶解釋放墨水黏性，不良品通過黏性墨水與裂片用的麥拉紙黏合在一起，壓片后揭膜時將不良品粘走，留下良品晶粒。

本發明節省了時間，降低了成本。

具體實施方式

本發明包括以下步驟：S1、墨水打標：根據良品標準，在不良品晶粒打上黏性墨水；

S2、墨水烘烤：將黏性墨水經過60-120℃高溫烘烤10-60min，使黏性墨水凝固在不良品晶粒表面；

S3. 激光切割：激光切割速度：100-800mm/s，切割頻率：5-90Khz，激光功率75%±15%，切割次數：1-10次，切割道寬度：10-60um，切割深度：半切穿（即切割道深及晶片但未貫穿晶片）；

S4、壓片：在晶片的P面先涂上一層無水乙醇后，再將晶片放置在兩張麥拉紙之間，然后，進行壓片，將晶片沿著切割痕裂成一個個晶粒，無水乙醇溶解黏性墨水中有機成分，墨水釋放黏性，使不良品晶粒與P面麥拉紙黏附在一起；

S5、揭膜去除不良品晶粒：將不良品晶粒沿著P面麥拉紙揭開，留下良品晶粒在N面麥拉紙上；

最后，正常工藝流轉。