[發明專利]一種大尺寸晶圓片減薄工藝

有效

• 申請號: 202110015809.1
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112757055B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 劉姣龍;劉建偉;劉園;武衛;由佰玲;裴坤羽;孫晨光;王彥君;祝斌;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B19/22;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/20;B24B47/22;H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，步驟包括：

執行對晶圓片的厚度進行單面減薄；

減薄時，用于減薄所述晶圓片厚度的砂輪磨盤與所述晶圓片交叉疊放接觸，以設定減薄后厚度目標值分階段地對所述晶圓片逐層進行減薄，并實時采用測厚針與所述晶圓片表面連續接觸以監測所述晶圓片減薄后的厚度值；

當減薄后厚度目標值與厚度最終值的差值為2-5μm時，所述測厚針遠離所述晶圓片直至減薄結束；同時，在設定轉速情況下所述磨盤仍以前一階段的進給速度一旋轉若干圈，再向遠離所述晶圓片一側移動一定距離，停止旋轉；

再在同一所述設定轉速條件下，以進給速度二向靠近所述晶圓片一側的方向移動，并以所述進給速度二對所述晶圓片厚度進行減薄，直至減薄結束；當厚度目標值與厚度最終值的差值大于2-5μm時，所述磨盤以所述進給速度一進行若干階段減薄，且在每一減薄階段中，所述進給速度一為定值；

所述進給速度一為0.3-0.5μm/s；

當厚度目標值與厚度最終值的差值不大于2-5μm時，所述磨盤以進給速度二進行分階段減薄，且在每一減薄階段中，所述進給速度二為定值；所述進給速度二為0.2-0.4μm/s，且所述進給速度二小于所述進給速度一。

2.根據權利要求1所述的一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，在整個減薄過程中，所述磨盤轉速和所述晶圓片轉速均恒定不變，且所述磨盤旋轉方向與所述晶圓片旋轉方向相同。

3.根據權利要求2所述的一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，所述磨盤轉速為1600-1800r/min；所述晶圓片轉速為150-200r/min。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，在所述減薄步驟之前，還包括對所述晶圓片進行定位的步驟，所述定位步驟包括對任一所述晶圓片圓心進行定位并使其上V型槽朝預設位置設置。

5.根據權利要求4所述的一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，在所述減薄步驟之后，還包括對減薄后的所述晶圓片的非減薄面進行清潔的步驟，采用連續設置的若干毛刷組件沿所述晶圓片非減薄面的直徑全面接觸，并邊旋轉邊對所述晶圓片非減薄面進行刷洗。

6.根據權利要求5所述的一種大尺寸晶圓片減薄工藝，其特征在于，所述清潔步驟過程中還包括所述晶圓片相對于其與所述毛刷組件接觸的面水平前后或左右晃動。