[發明專利]一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝

在審

• 申請號: 202110015782.6
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112768347A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 劉姣龍;劉建偉;劉園;武衛;由佰玲;裴坤羽;孫晨光;王彥君;祝斌;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，步驟包括：執行將若干晶圓片同步進入藥液內并穩定放置，且所有所述晶圓片的V型槽均朝同一方向設置；

控制所述晶圓片在所述藥液內以設定轉速同步旋轉(N+0.5)圈，N為大于1的整數；

再提取所述晶圓片離開藥液；

其中，所述晶圓片從進入所述藥液至穩定放置所用時間與所述晶圓片從靜置完成后到完全被提取離開所述藥液所用時間相同。

2.根據權利要求1所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述晶圓片進入所述藥液時，所述晶圓片的V型槽均豎直朝上設置；所述晶圓片旋轉靜置后，所述V型槽均豎直朝下設置且直至被取出。

3.根據權利要求1或2所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述晶圓片從進入所述藥液至穩定放置這一期間所用時間為8-10s。

4.根據權利要求3所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述晶圓片沿順時針方向旋轉，且其旋轉速度恒定。

5.根據權利要求4所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述晶圓片旋轉所用的時間為80-100s。

6.根據權利要求1-2、4、5任一項所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述藥液為氫氧化鉀純溶液，其質量濃度為42-48％；優選地，其質量濃度為45％。

7.根據權利要求6所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，在整個過程中，所述藥液的溫度始終為80-85℃。

8.根據權利要求7所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，所述氫氧化鉀的循環流量為22-35L/min。

9.根據權利要求1-2、4、7-8任一項所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，從所述晶圓片進入所述藥液中至離開所述藥液中，還包括向所述藥液通入氮氣鼓泡的步驟。

10.根據權利要求9所述的一種降低晶圓片損傷層厚度偏差值的腐蝕工藝，其特征在于，沿所述晶圓片豎直放置的寬度方向上均設有所述氮氣，所述氮氣沿所述晶圓片外緣斜向上鼓泡，所述氮氣噴射的方向與所述晶圓片豎直直徑的夾角為35-45°。