[發明專利]一種減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝

在審

• 申請號: 202110015472.4
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN112820801A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 陳太昌;梁杭偉;邢珍帥;吳娟;楊健
• 申請（專利權）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李瑩

1.一種減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將制絨后的硅片通入POCl₃進行擴散處理，在硅表面得到附磷層；

S2，通入800-1200sccm氧氣，在溫度770-790℃，壓力90-110mbar的條件下，使所述附磷層上形成氧化層；

S3，提高S2的氧氣量，使所述氧化層的厚度達到35-45nm；

S4，通入氮氣進行吹掃，結束擴散，在硅片表面獲得減小SE激光損傷的厚氧化層。

2.如權利要求1所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述步驟S3的條件為溫度720-760℃，壓力為1000-1200mbar。

3.如權利要求1所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述步驟S3的氧氣通入量為2500-3000sccm。

4.如權利要求1所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述步驟S2的處理時間為2-4min。

5.如權利要求2所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述步驟S3的處理時間為5-8min。

6.如權利要求1-5任一項所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述步驟S1的具體操作包括如下步驟：

S11，通入800-1500sccm的氧氣，在750-780℃，壓力100-150mbar的條件下在硅片表面形成一層氧化膜；

S12，通入200-400sccm攜帶POCl₃的氮氣和400-1000sccm氧氣，在750-780℃，壓力100-150mbar的條件下進行低溫沉積，沉積時間為2min-3min；

S13，通入500-1000sccm攜帶POCl₃的氮氣和800-1000sccm氧氣，在770-790℃，壓力100-150mbar的條件下進行沉積，在硅表面得到所述附磷層。

7.如權利要求6所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述S12和S13之間，還包括高溫推進步驟，具體為，S12步驟停止通入氣源后，將溫度升至850-880℃進行高溫推進處理，推進時間為10min-20min。

8.如權利要求6所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝，其特征在于，所述S13的沉積時間為5min-10min。

9.一種SE太陽電池用的硅片，其特征在于，由權利要求1-8任一項所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝制得。

10.一種SE太陽電池的制備方法，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的減小SE激光損傷的厚氧化層擴散工藝。