[發明專利]一種雙斷口自均壓真空滅弧室

在審

• 申請號: 202110015349.2
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112786346A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 葛國偉;程顯;杜帥;田小倩;李鑫;陳輝
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H01H33/662
• 分類號: H01H33/662;H01H33/664
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其主要特征在于包括上下側真空滅弧室VI1和VI2、上下端圓筒形陶瓷電容器、上下端外部屏蔽罩、中間屏蔽罩、固定絕緣材料、中間法蘭、環氧樹脂等，上述部件通過固封、焊接等實現，其中真空滅弧室可選用72.5kV以上電壓等級，上下端真空滅弧室靜端蓋串聯固定于中間法蘭上，上下端圓筒形陶瓷電容器采用BN 302等高介電常數陶瓷材料，內表面電極與中間屏蔽罩連接，外表面電極與上下端外部屏蔽罩連接，中間屏蔽罩固定于中間法蘭上，上述圓筒形陶瓷電容器通過固體絕緣固定于外部屏蔽罩和中間屏蔽罩之間，屏蔽罩可以有效改善外部電場分布均勻性，減小斷口對地雜散電容，實現比傳統外部并聯均壓電容更好的均壓效果。

2.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：兩個真空滅弧室VI1、VI2靜端蓋通過中間法蘭連接，可采用兩個72.5kV真空滅弧室可實現145kV電壓等級開斷，采用兩個126kV滅弧室可以實現252kV電壓等級開斷。

3.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：上下端圓筒形陶瓷電容器可采用陶瓷介質材料，如：BN 302、Y5P、CH、BT等陶瓷材料，高度為20～50mm，厚度為20～80mm，介電常數在1000～5000之間，電容值為500～10000pF。

4.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：采用上下端圓筒形陶瓷電容器通過上下端外部屏蔽罩和中間屏蔽罩并聯于VI1、VI2兩端，VI1、VI2并聯的均壓電容值為500～10000pF，上端圓筒形陶瓷電容器連接于上端外部屏蔽罩與中間屏蔽罩重疊區域，下端圓筒形陶瓷電容器連接于下端外部屏蔽罩與中間屏蔽罩重疊區域，實現VI1、VI2的均壓控制。

5.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：上下端外部屏蔽罩采用焊接方式于VI1、VI2的動端蓋處進行連接，且上下端外部屏蔽罩長度40mm-100mm，半徑100-160mm，且上下端外部屏蔽罩拐角處都設有5mm倒圓角以便于使電場分布更加均勻，且在上下端外部屏蔽罩末端處都采用倒圓角進行電場強度的優化。

6.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：中間屏蔽罩與中間法蘭焊接，通過中間法蘭與VI1、VI2靜端蓋相連接，減少了斷口對地雜散電容，使得雙斷口斷路器電壓分布不均勻度降低，且需要并聯較小的均壓電容。

7.如權利要求1所述的一種自均壓雙斷口真空滅弧室，其特征在于：上下端外部屏蔽罩和中間屏蔽罩均采用銅或鋁材料，可以改善外部電場分布，進而提高外部絕緣強度，在上下端部外部屏蔽罩上均勻分布多個通氣孔，大小為5～10mm，便于絕緣氣體的流通，增大絕緣能力，提高耐壓水平，同時滿足運行工況溫升要求，且在中間法蘭同樣來由對流孔以便于氣體對流。

8.如權利要求1所述的一種雙斷口自均壓真空滅弧室，其特征在于：上端圓筒形陶瓷電容器外電極與上端外部屏蔽罩連接，上端圓筒形陶瓷電容器的內電極與中間屏蔽罩連接，下端圓筒形陶瓷電容器的外電極與下端外部屏蔽罩連接，下端圓筒形陶瓷電容器的內電極與中間屏蔽罩連接，上下端圓筒形陶瓷電容器通過環氧樹脂進行固封，如此實現上下端圓筒形陶瓷電容器的并聯于雙斷口真空滅弧室的兩側作為真空滅弧室的均壓電容，使得雙斷口真空斷路器實現兩個斷口電壓均勻分布。