[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110015122.8
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN114724923A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 師蘭芳;甘露;鄭春生;張文廣;吳威威
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/28
• 代理公司: 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供待處理的基底結(jié)構(gòu)，所述待處理的基底結(jié)構(gòu)包括基底層以及凸出于所述基底層的圖形結(jié)構(gòu)，所述基底結(jié)構(gòu)的表面具有吸附基團；

采用反應(yīng)氣體對所述基底結(jié)構(gòu)的表面進行等離子體處理，所述反應(yīng)氣體與所述吸附基團發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，用于使所述基底結(jié)構(gòu)表面的前驅(qū)體吸附形核點數(shù)量趨于相同；

在所述等離子體處理之后，利用原子層沉積工藝，形成保形覆蓋所述基底結(jié)構(gòu)表面的目標(biāo)層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體包括O₂、H₂或含N和H的氣體。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述含N和H的氣體包括N₂和H₂的混合氣體或者NH₃。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述吸附基團包括羥基或氨基。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)和基底層的材料不同。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述基底層包括多個區(qū)域；

所述圖形結(jié)構(gòu)分別位于所述多個區(qū)域的所述基底層上，其中，所述多個區(qū)域的圖形結(jié)構(gòu)中的摻雜離子濃度不同，或者，所述多個區(qū)域的圖形結(jié)構(gòu)中的摻雜離子類型不同，或者，所述多個區(qū)域的圖形結(jié)構(gòu)的材料不同。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述基底層是襯底，所述圖形結(jié)構(gòu)是柵極結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)層是側(cè)墻材料層；

或者，所述基底層中形成有待連接結(jié)構(gòu)，所述圖形結(jié)構(gòu)是介電層，且相鄰所述介電層圍成導(dǎo)電開口，所述導(dǎo)電開口底部露出所述待連接結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)層是側(cè)壁保護材料層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述等離子體處理工藝的參數(shù)包括：所述反應(yīng)氣體為O₂；工藝時間為5s至600s；腔室壓強為100mtorr至30torr；所述反應(yīng)氣體的氣體流量為1sccm至90000sccm；射頻功率為50W至2000W；工藝溫度為50℃至500℃。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)的材料包括氧化硅、氮化硅或硅材料。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述目標(biāo)層的材料包括氮化硅。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝包括等離子體增強原子層沉積工藝。