[發明專利]一種膜層沉積方法有效
| 申請號： | 202110012080.2 | 申請日： | 2021-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN112853326B | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 桂銘陽;羅興安;張春雷;蔣志超;胡淼龍;張高升 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C16/505 | 分類號： | C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 沉積 方法 | ||
1.一種PECVD膜層沉積方法，其特征在于，基于射頻電源的等離子體氣相沉積，包括：
將待形成膜層的元件暴露在等離子體腔室中；
采用射頻電源激發持續電場，以提供持續的等離子體；
通入膜層生成氣體，在所述等離子體的作用下，所述膜層生成氣體在所述待形成膜層的元件表面形成膜層；
間斷性地對所述等離子體腔室進行抽氣，在抽氣階段，停止通入所述膜層生成氣體，并往所述等離子體腔室中通入含氟清潔氣體，抽氣速率大于氣體通入速率，所述等離子體腔室內保持預設真空度，以在抽氣階段暫時中斷膜層的生成。
2.根據權利要求1所述的PECVD膜層沉積方法，其特征在于，所述間斷性地對所述等離子體腔室進行抽氣，具體包括：
周期性對所述等離子體腔室中的氣體進行抽氣。
3.根據權利要求2所述的PEC VD膜層沉積方法，其特征在于，非抽氣階段時長與所述抽氣階段時長之比的范圍為1到100。
4.根據權利要求3所述的PEC VD膜層沉積方法，其特征在于，膜層沉積總時長為200s-2000s，包括端點值。
5.根據權利要求2所述的PEC VD膜層沉積方法，其特征在于，抽氣周期數量為10-50，包括端點值。
6.根據權利要求1所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述采用射頻電源激發持續電場，以提供持續的等離子體包括：
通入等離子體產生氣體；
采用射頻電源激發持續電場，對所述等離子體產生氣體進行電離，以提供持續的等離子體。
7.根據權利要求1所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述膜層生成氣體為烷烴氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
