[發(fā)明專利]一種自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110011903.X
• 申請(qǐng)日: 2021-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN112600518A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡曉宇;袁甲;于增輝;凌康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京中科芯蕊科技有限公司
• 主分類號(hào): H03B5/12
• 分類號(hào): H03B5/12;H03B5/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 王愛濤

1.一種自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述晶體振蕩器包括：反相器、第一脈沖開關(guān)、第二脈沖開關(guān)、偏置電阻和受振幅控制的電流鏡電路；

所述第一脈沖開關(guān)的一端與電源連接，所述第一脈沖開關(guān)的另一端與所述電流鏡電路中鏡像管的源極連接，所述電流鏡電路中鏡像管的漏極與所述反相器的電源輸入端連接；

所述反相器的接地端與所述第二脈沖開關(guān)的一端連接，所述第二脈沖開關(guān)的另一端接地；所述反相器的信號(hào)電壓輸入端與所述偏置電阻的一端連接，所述反相器的信號(hào)電壓輸出端與所述偏置電阻的另一端連接；

所述偏置電阻的一端與晶體的一個(gè)電極連接，所述偏置電阻的另一端與晶體的另一個(gè)電極連接；

所述第一脈沖開關(guān)的控制脈沖的低電平持續(xù)時(shí)間和所述第二脈沖開關(guān)的控制脈沖的高電平持續(xù)時(shí)間不相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述反相器包括：第一晶體管和第二晶體管；

所述第一晶體管的源極與所述第一晶體管的襯底連接，所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極連接，所述第二晶體管的源極與所述第二晶體管的襯底連接；

所述第一晶體管的源極作為反相器的電源輸入端，所述第二晶體管的源極作為反相器的接地端，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極的連接點(diǎn)作為反相器的信號(hào)電壓輸入端，所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極的連接點(diǎn)作為反相器的信號(hào)電壓輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述第一晶體管為PMOS管，所述第二晶體管為NMOS管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述電流鏡電路包括：電流基準(zhǔn)源、輸入管和鏡像管；

所述輸入管的源極與所述電源連接，所述輸入管的漏極與所述電流基準(zhǔn)源的輸出端連接，所述輸入管的柵極與所述輸入管的漏極短接，并與所述鏡像管的柵極連接；

所述鏡像管的源極與所述第一脈沖開關(guān)的另一端連接，所述鏡像管的漏極與所述反相器的電源輸入端連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述輸入管和所述鏡像管均為PMOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述鏡像管與所述輸入管的尺寸比與所述反相器的電流和所述電流鏡電路的基準(zhǔn)電流的比值相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述第一脈沖開關(guān)為PMOS管，所述第二脈沖開關(guān)為NMOS管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，所述反相器工作在亞閾值區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，當(dāng)所述第一脈沖開關(guān)的控制脈沖的電壓為低電平時(shí)，所述第一脈沖開關(guān)閉合，所述反相器對(duì)所述晶體進(jìn)行充電。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)振幅控制型晶體振蕩器，其特征在于，當(dāng)所述第一脈沖開關(guān)的控制脈沖的電壓為高電平時(shí)，所述第一脈沖開關(guān)斷開，所述反相器停止對(duì)所述晶體進(jìn)行充電。