[發(fā)明專利]半導體封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110011435.6
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN113078124A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 姜亨汶;高廷旼;白承德;金兌炯;申仁夑
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體封裝，包括：

基板；

堆疊在所述基板上的多個半導體器件；

多個底部填充圓角，設置在所述多個半導體器件之間以及在所述基板與所述多個半導體器件之間；以及

圍繞所述多個半導體器件的模制樹脂，

其中所述底部填充圓角中的至少一個從所述模制樹脂的側(cè)表面暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝，其中所述底部填充圓角包括設置在所述基板與所述多個半導體器件之間的第一底部填充圓角，以及其中所述第一底部填充圓角從所述模制樹脂的側(cè)表面暴露。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體封裝，其中所述半導體器件的側(cè)表面與所述模制樹脂的側(cè)表面之間的距離不大于500μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體封裝，其中所述多個半導體器件包括順序地堆疊在所述第一底部填充圓角上的第一半導體器件、第二半導體器件、第三半導體器件和第四半導體器件，

其中所述多個底部填充圓角還包括在所述第一半導體器件與所述第二半導體器件之間的第二底部填充圓角、在所述第二半導體器件與所述第三半導體器件之間的第三底部填充圓角以及在所述第三半導體器件與所述第四半導體器件之間的第四底部填充圓角，以及

其中所述第二底部填充圓角、所述第三底部填充圓角和所述第四底部填充圓角中的至少一個不從所述模制樹脂的側(cè)表面暴露。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一至第四底部填充圓角中的每個包括無機填充物，并且所述第一至第四底部填充圓角中的至少兩個包括不同含量的無機填充物。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一至第四底部填充圓角中的每個從所述多個半導體器件的側(cè)表面突出。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體封裝，其中所述第一底部填充圓角的從所述模制樹脂暴露的部分接觸所述基板的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝，其中所述基板在所述基板的拐角處接觸所述模制樹脂。

9.一種半導體封裝，包括：

封裝基板；

堆疊在所述封裝基板上的中介層基板；

橫向布置在所述中介層基板上的第一子封裝和第二子封裝；以及

圍繞所述第一子封裝的側(cè)表面和所述第二子封裝的側(cè)表面的第一模制樹脂，

其中所述第一子封裝包括：

第一子封裝基板；

堆疊在所述第一子封裝基板上的多個存儲器件；以及

底部填充圓角，設置在所述多個存儲器件之間以及在所述第一子封裝基板與所述多個存儲器件之間，以及

其中所述底部填充圓角中的至少一個從所述多個存儲器件的側(cè)表面水平地突出200μm至500μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體封裝，其中所述第一子封裝還包括圍繞所述多個存儲器件的第二模制樹脂，以及

其中所述底部填充圓角中的至少一個延伸到所述第一模制樹脂和所述第二模制樹脂之間的界面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體封裝，其中所述多個存儲器件包括順序地堆疊在所述第一子封裝基板上的第一存儲器件、第二存儲器件、第三存儲器件和第四存儲器件，以及

其中所述底部填充圓角包括：設置在所述第一子封裝基板和所述第一存儲器件之間的第一底部填充圓角、設置在所述第一存儲器件和所述第二存儲器件之間的第二底部填充圓角、設置在所述第二存儲器件和所述第三存儲器件之間的第三底部填充圓角、以及設置在所述第三存儲器件和所述第四存儲器件之間的第四底部填充圓角。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝，其中所述底部填充圓角當中的所述第一底部填充圓角水平地突出最多。