[發(fā)明專利]一種掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110011281.0 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN112758887A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱嘉;陳鑫杰;朱鵬臣 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京大學(xué) |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G02B1/118 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務(wù)所 32207 | 代理人： | 萬婧 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 刻蝕 制備 波長 周期性 陣列 方法 | ||
1.一種掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將硅酸鹽玻璃原片分別用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇清洗、烘干；
(2)用勻膠機選取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液，其中二氧化硅小球直徑在300-500nm；
(3)待分散液中溶劑揮發(fā)完成；
(4)在等離子體刻蝕倉中進行刻蝕，刻蝕氣體CHF3、CF4任意一種或二者的組合，流量為45-80sccm，刻蝕功率為75-90W；
(5)清洗、烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，步驟(1)中丙酮、乙醇、去離子水超聲均為5min-10min，并且選用溶液純度均大于99％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，步驟(3)中分散液質(zhì)量比為二氧化硅粉末：乙醇：乙二醇＝30：35：35。
4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，步驟(1)中選用的玻璃原片包括熔石英、K9玻璃或者普通玻璃中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，步驟(4)刻蝕前對刻蝕腔內(nèi)進行清洗和預(yù)刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，步驟(2)中的二氧化硅小球直徑在350nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，二氧化硅小球直徑為500nm，刻蝕氣體為CHF3 45sccm和CF4 15sccm，刻蝕功率75W，刻蝕時間6min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜刻蝕制備亞波長周期性陣列的方法，其特征在于，二氧化硅小球直徑為350nm，刻蝕氣體為刻蝕氣體CHF3 45sccm，刻蝕功率75W，刻蝕時間4.5min。
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