[發明專利]一種銥金屬配合物和使用該化合物的有機光電元件

在審

• 申請號: 202110010878.3
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112851714A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 王子興;陳清泉;呂伯彥;吳空物;趙曉宇
• 申請（專利權）人: 浙江華顯光電科技有限公司;宇瑞（上海）化學有限公司
• 主分類號: C07F15/00
• 分類號: C07F15/00;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54
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1.一種銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物其結構式如式(I)所示

其中,X1和X2選自氮、氧、碳、硫、硅、硼或磷原子中的一種；其中A或B環選自取代或者未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C2-C60的雜芳基，取代基選自R；R獨立選自氫、氘、鹵素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的雜芳基、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的雜芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的雜芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的雜芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的雜芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一種，；(L^Z)為輔助配體，為二齒配體，其與上述結構式左側的主配體相同或不同；所有基團可以被部分氘代或全氘代；m取自1、2或3，m+n＝3；雜芳基是指含有B、N、O、S、P(＝O)、Si、P中至少一個雜原子；所有基團可被部分氘代或全氘代。

2.根據權利要求1所述的銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物式(I)中(L^Z)選自以下代表結構式的一種：

其中，Y選自O或N；R1至R3獨立地選自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的雜芳基；A2和B2成環或未成環地選自C1～C60烷基、C1～C60烷氧基、含C1～C60烷硅基、含C1～C60烷氧硅基、C6～C40的芳基，C1～C40的雜芳基，A2和B2可以根據價鍵原則進行單取代或多取代。

3.根據權利要求1至2任一項所述的銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物結構式(I)選自下列代表性的結構：

其中X，Y，R1至R8，A、A2、B、B2與權利要求1和權利要求2所述相同。

4.根據權利要求1至3任一一項所述的銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物結構式(I)中A、A2、B、B2選自以下代表結構式的一種：

R與權利要求1所述相同，可以被部分氘代或全氘代。

5.根據權利要求1至4任一一項所述的銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物結構式(I)中(L^Z)選自以下代表結構式的一種

其中，X選自NR1、O、S、CR1R2、SiR1R2、O＝P-R1或B-R1；R1至R3獨立地選自C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40的芳基、C1～C40的雜芳基，可以被部分氘代或全氘代。

6.根據權利要求1至5任一項所述的銥金屬配合物，其特征在于，所述的銥金屬配合物結構式(I)選自下列代表性結構的一種：

7.一種制劑，其特征在于，包含權利要求1至6任一項所述的銥金屬配合物和至少一種溶劑。

8.一種有機光電器件，其特征在于，包括：

第一電極；

第二電極，與所述第一電極相面對；

有機功能層，夾設于所述第一電極和所述第二電極之間；

其中，有機功能層包含權利要求1至6任一項所述的銥金屬配合物。

9.一種有機光電元件，包括陰極層、陽極層和有機層，該有機層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層或活性層、電子注入層、電子傳輸層中至少一層，其特征在于：該器件的任一層中含有權利要求1至6所述的銥金屬配合物。