[發(fā)明專利]一種鍍膜裝置

在審

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• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112853293A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 占勤;楊洪廣;竇志昂;連旭東;郭煒
• 申請（專利權(quán)）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜裝置，其特征在于，該裝置包括多反應(yīng)腔系統(tǒng)、傳輸腔系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)及手套箱；其中多反應(yīng)腔系統(tǒng)包括2個以上獨立的反應(yīng)腔系統(tǒng)，各反應(yīng)腔系統(tǒng)分布于傳輸腔系統(tǒng)四周；手套箱與傳輸腔系統(tǒng)、傳輸腔系統(tǒng)與各反應(yīng)腔之間設(shè)置有密封的過渡腔室且通過高真空插板閥實現(xiàn)兩者的連通與關(guān)閉；

所述各反應(yīng)腔系統(tǒng)均包括真空腔體及位于真空腔體內(nèi)的靶系統(tǒng)和載片臺系統(tǒng)，各反應(yīng)腔內(nèi)的真空度控制在8*10^-5Pa以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述傳輸腔系統(tǒng)包括柱型傳輸腔腔體，該傳輸腔腔體上方設(shè)置有觀測蓋；傳輸腔腔體內(nèi)設(shè)置有可自由旋轉(zhuǎn)的機械傳輸手，該機械傳輸手可實現(xiàn)將基片傳送至各反應(yīng)腔系統(tǒng)內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述載片臺系統(tǒng)包括可加熱、旋轉(zhuǎn)和射頻清洗的載片臺；載片臺的加熱溫度控制在150～350℃；載片臺旋轉(zhuǎn)速率為5～30r/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，各反應(yīng)腔系統(tǒng)內(nèi)的靶系統(tǒng)內(nèi)設(shè)置有強磁性靶塊，基體置于載片臺系統(tǒng)內(nèi)的載片臺上，靶塊距基體間距為50～100mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于，靶塊可在-30～30°之間旋轉(zhuǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的鍍膜裝置，其特征在于，靶塊的位置和角度可通過反應(yīng)腔系統(tǒng)內(nèi)真空腔體外設(shè)置的絲桿調(diào)節(jié)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述各反應(yīng)腔系統(tǒng)的真空腔體的形狀為“D”型腔或“O”型腔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述水冷系統(tǒng)與反應(yīng)腔系統(tǒng)內(nèi)的靶系統(tǒng)連接，用于冷卻靶塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述多反應(yīng)腔系統(tǒng)的個數(shù)為兩個，該兩個反應(yīng)腔系統(tǒng)成90°分布于傳輸腔系統(tǒng)兩側(cè)；其中兩個反應(yīng)腔系統(tǒng)分別為Ni靶反應(yīng)腔系統(tǒng)和Ti靶反應(yīng)腔系統(tǒng)，所述傳輸腔內(nèi)的機械傳輸手設(shè)置為O°、90°及180°三個位置的選擇，可實現(xiàn)旋轉(zhuǎn)及與手套箱口、Ni靶反應(yīng)腔腔體和Ti靶反應(yīng)腔腔體的精準對位。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述手套箱內(nèi)設(shè)置有惰性氣體保護氣氛，手套箱一側(cè)設(shè)置有進樣口和過渡管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述真空腔體外側(cè)均設(shè)置有觀測窗口及檢修門。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，Ti靶反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有可放置Ti靶塊的波紋管。