[發(fā)明專利]一種銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110010662.7
• 申請(qǐng)日: 2021-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN112768612A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅月;郭洋陽;魏洋;李慧鑫;唐博;王洪強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括透明導(dǎo)電玻璃(1)、第一空穴傳輸層(2)、第二空穴傳輸層(4)、量子點(diǎn)發(fā)光層(5)、電子傳輸層(6)和金屬電極(7)；其特征在于還包括銀納米立方(3)；在第一空穴傳輸層(4)中引入銀納米立方(3；所述銀納米立方顆粒的平均粒徑為140nm；所述空穴傳輸層厚度共計(jì)為60nm；所述量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為40nm；所述電子傳輸層材料厚度為150nm；所述金屬電極層厚度為70-100nm；所述透明導(dǎo)電玻璃厚度為110nm；所述量子點(diǎn)為硒化鎘/硫化鎘核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；所述電子傳輸層材料為氧化鋅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一層空穴傳輸層材料包括聚(乙烯二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸酯，比例為1:6。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二層空穴傳輸層材料采用聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]或聚[(9，9-二正辛基芴基-2，7-二基)-alt-(4，4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述金屬電極層為銀或鋁電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明導(dǎo)電玻璃為氟摻雜的二氧化錫或氧化銦錫。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述硒化鎘/硫化鎘核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)粒徑≤10nm。

7.一種制備權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：在透明導(dǎo)電玻璃上覆蓋第一層空穴傳輸層，熱處理后得到第一層空穴傳輸層；

步驟2：在第一層空穴傳輸層的襯底上滴加銀納米立方溶液，熱處理后轉(zhuǎn)移到氬氣手套內(nèi)箱旋涂TFB溶液，熱處理后得到第二層空穴傳輸層；所述銀納米立方溶液的濃度為0.03mg/mL～0.015mg/mL；所述旋涂TFB溶液時(shí)氯苯為溶劑；

步驟3：在第二層空穴傳輸層上旋涂量子點(diǎn)溶液并經(jīng)熱處理后形成發(fā)光層，熱處理后得到量子點(diǎn)發(fā)光層；所述旋涂量子點(diǎn)溶液時(shí)正己烷為溶劑；

步驟4：在量子點(diǎn)發(fā)光層旋涂氧化鋅溶液，熱處理后得到電子傳輸層；所述旋涂氧化鋅溶液時(shí)乙醇為溶劑；

步驟5：在電子傳輸層上蒸鍍銀電極，得到銀納米立方耦合的量子點(diǎn)發(fā)光二極管；所述的熱處理過程均在100～140℃處理5～10min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述旋涂量子點(diǎn)溶液采用2000rpm/45s將量子點(diǎn)溶液旋涂至覆蓋有第二層空穴傳輸層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述銀納米立方顆粒的制備是：將硝酸銀和聚乙烯吡咯烷酮前驅(qū)體溶液通過蠕動(dòng)泵注入經(jīng)預(yù)先加熱160度且含有氯化鈉的乙二醇溶液中，在溫度為160℃下反應(yīng)120min；所述酸銀和聚乙烯吡咯烷酮的摩爾比是2:3。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述硒化鎘/硫化鎘核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的制備是：將硫化鎘前驅(qū)體溶液多次注入經(jīng)原位鈍化的硒化鎘前驅(qū)體溶液中，獲得硒化鎘/硫化鎘核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；其中，至少注入6次，并每次注入后，在80～140℃反應(yīng)10～20min。