[發(fā)明專利]一種電流信號(hào)檢測(cè)電路、TIA電路和光信號(hào)接收前端有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110010609.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112787599B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙楠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F1/30 | 分類號(hào): | H03F1/30;G01R19/25;H03F3/45 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡琦旖 |
| 地址: | 430068 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電流 信號(hào) 檢測(cè) 電路 tia 接收 前端 | ||
1.一種電流信號(hào)檢測(cè)電路,其特征在于,包括:電流感應(yīng)電阻、電流鏡像電阻、第一均值探測(cè)器、第二均值探測(cè)器、第一穩(wěn)壓器、第二穩(wěn)壓器、第一PMOS管;
輸入的電流信號(hào)連接所述電流感應(yīng)電阻的左側(cè)端口和所述第一均值探測(cè)器的左側(cè)端口;所述電流感應(yīng)電阻的右側(cè)端口連接所述第二均值探測(cè)器的左側(cè)端口;所述第一均值探測(cè)器的右側(cè)端口連接所述第一穩(wěn)壓器的輸入端;所述第二均值探測(cè)器的右側(cè)端口連接所述第二穩(wěn)壓器的輸入端;所述第一穩(wěn)壓器的輸出端連接所述電流鏡像電阻的左側(cè)端口,所述第一穩(wěn)壓器的檢測(cè)電壓輸出端連接所述第一PMOS管的柵極,所述第一PMOS管的源極連接電源VCC,所述第一PMOS管的漏極為檢測(cè)電流輸出端;所述第二穩(wěn)壓器的輸出端連接所述電流鏡像電阻的右側(cè)端口;
所述第一均值探測(cè)器、所述第二均值探測(cè)器的結(jié)構(gòu)相同,均包括:第一電阻、第一電容;所述第一電阻的左側(cè)端口連接輸入信號(hào),所述第一電阻的右側(cè)端口為輸出端,所述第一電阻的右側(cè)端口與所述第一電容的一個(gè)端口相連,所述第一電容的另一個(gè)端口接地;
所述第一穩(wěn)壓器包括:第一差分轉(zhuǎn)單端放大器、第二電阻、第二電容、第三電阻、第三電容、第四電阻、第四電容、第一NMOS管、第二PMOS管、第五電容;所述第一差分轉(zhuǎn)單端放大器的同相輸入端為信號(hào)輸入端,所述第一差分轉(zhuǎn)單端放大器的輸出端連接所述第四電阻的左側(cè)端口,所述第四電阻的右側(cè)端口連接所述第四電容的一個(gè)端口和所述第一NMOS管的柵極;所述第四電容的另一個(gè)端口接地;所述第一NMOS管的源極為所述第一穩(wěn)壓器的輸出端REG_OUTP,所述第一NMOS管的源極連接所述第二電阻的右側(cè)端口和所述第二電容的一個(gè)端口;所述第二電容的另一個(gè)端口接地;所述第二電的左側(cè)端口連接所述第三電阻的右側(cè)端口和所述第五電容的一個(gè)端口;所述第五電容的另一個(gè)端口接地;所述第三電阻的左側(cè)端口連接所述第一差分轉(zhuǎn)單端放大器的反相輸入端和所述第三電容的一個(gè)端口;所述第三電的另一個(gè)端口接地;所述第一NMOS管的漏極同時(shí)連接所述第二PMOS管的漏極和柵極;所述第二PMOS管的漏極和柵極短接并作為檢測(cè)電壓輸出端VMON;所述第二PMOS管的源極連接電源VCC;
所述第二穩(wěn)壓器包括:第二差分轉(zhuǎn)單端放大器、第五電阻、第六電容、第六電阻、第七電容、第七電阻、第八電容、第二NMOS管、第九電容;所述第二差分轉(zhuǎn)單端放大器的反相輸入端為信號(hào)輸入端,所述第二差分轉(zhuǎn)單端放大器的輸出端連接所述第七電阻的左側(cè)端口,所述第七電阻的右側(cè)端口連接所述第八電容的一個(gè)端口和所述第二NMOS管的柵極;所述第八電容的另一個(gè)端口接地;所述第二NMOS管的漏極為所述第二穩(wěn)壓器的輸出端REG_OUTN,所述第二NMOS管的漏極連接所述第五電阻的右側(cè)端口和所述第六電容的一個(gè)端口;所述第六電容的另一個(gè)端口接地;所述第五電阻的左側(cè)端口連接所述第六電阻的右側(cè)端口和所述第九電容的一個(gè)端口;所述第九電容的另一個(gè)端口接地;所述第六電阻的左側(cè)端口連接所述第二差分轉(zhuǎn)單端放大器的同相輸入端和所述第七電容的一個(gè)端口;所述第七電容的另一個(gè)端口接地;所述第二NMOS管的源極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流信號(hào)檢測(cè)電路,其特征在于,所述電流鏡像電阻用于以鏡像形式輸出流經(jīng)所述電流感應(yīng)電阻的電流;流經(jīng)所述電流鏡像電阻的電流表示為:IDET=IIN×(Rdet22/Rdet21);其中,Rdet21為電流感應(yīng)電阻的電阻值,Rdet22為電流鏡像電阻的電阻值,IIN為輸入的電流信號(hào)的大小;IDET為電流鏡像電阻檢測(cè)到的電流信號(hào)的大小,記為鏡像檢測(cè)電流IDET。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流信號(hào)檢測(cè)電路,其特征在于,所述電流感應(yīng)電阻用于感應(yīng)輸入的電流信號(hào)的大小,并以電阻兩端的電壓表現(xiàn)出來;所述電流感應(yīng)電阻兩端的電壓分別記為左側(cè)端口電壓信號(hào)VRL、右側(cè)端口電壓信號(hào)VRR。
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