[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于壓電陶瓷微形變圖像檢測(cè)的電壓測(cè)量裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110010565.8 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112782464A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 翟少磊;羅奕;程富勇;賈南疆;張林山;方正云;段怡;何瀟;李月梅;閆永梅;楊莉;李登云 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 云南電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G01R19/25 | 分類(lèi)號(hào)： | G01R19/25;G01R15/00 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長(zhǎng)明;許偉群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 壓電 陶瓷 形變 圖像 檢測(cè) 電壓 測(cè)量 裝置 方法 | ||
1.一種基于壓電陶瓷微形變圖像檢測(cè)的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，包括：背光單元(1)、采集單元(2)、圖像識(shí)別模塊(3)、壓電陶瓷模塊(4)和控制單元(5)；
所述背光單元(1)設(shè)置在所述壓電陶瓷模塊(4)的一側(cè)，被配置為：提供背光源；
所述采集單元(2)設(shè)置在所述壓電陶瓷模塊(4)的另一側(cè)，被配置為：采集形變投影圖像；
所述壓電陶瓷模塊(4)上設(shè)置有可拆卸的壓電陶瓷片(41)、電極(42)和基座(43)，所述電極(42)設(shè)置在所述壓電陶瓷片(41)的上下兩端，所述電極(42)設(shè)置在所述基座(43)的上端；
所述采集單元(2)的輸出端連接所述圖像識(shí)別模塊(3)的輸入端；
所述背光單元(1)、所述采集單元(2)、所述圖像識(shí)別模塊(3)和所述壓電陶瓷模塊(4)分別與所述控制單元(5)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，所述采集單元(2)包括：鏡頭(21)和圖像傳感器(22)；
所述鏡頭(21)的輸出端連接所述圖像傳感器(22)的輸入端；
所述圖像傳感器(22)的輸出端連接所述圖像識(shí)別模塊(3)的輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，還包括：底盤(pán)(6)；
所述底盤(pán)(6)上設(shè)置有所述基座(43)，所述背光單元(1)通過(guò)第一固定部件(61)設(shè)置在所述底盤(pán)(6)上，所述圖像識(shí)別模塊(3)通過(guò)第二固定部件(62)設(shè)置在所述底盤(pán)(6)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，還包括：通信單元(7)，
所述通信單元(7)的輸入端與所述圖像識(shí)別模塊(3)的輸出端相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，還包括：云中心(8)，
所述通信單元(7)的輸出端與所述云中心(8)電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，所述背光單元(1)以非單色光源為背光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，所述圖像傳感器(22)采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)傳感器作為圖像傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，還包括：供電單元(9)，
所述供電單元(9)分別連接所述背光單元(1)、所述圖像傳感器(22)、所述圖像識(shí)別模塊(3)、通信單元(7)及所述控制單元(5)的電源端。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的電壓測(cè)量裝置，其特征在于，還包括：殼體(10)，
所述背光單元(1)、所述鏡頭(21)、第一固定部件(61)及第二固定部件(62)設(shè)置在所述殼體(10)的外部，所述控制單元(5)、所述圖像識(shí)別模塊(3)及所述通信單元(7)設(shè)置在所述殼體(10)的內(nèi)部；
所述殼體(10)通過(guò)第三固定部件(63)設(shè)置在所述底盤(pán)(6)上。
10.一種基于壓電陶瓷微形變圖像檢測(cè)的電壓測(cè)量方法，所述方法應(yīng)用于上述權(quán)利要求1-9的任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，包括：
背光單元提供背光源；
在所述背光源下，采集單元采集壓電陶瓷片的形變投影圖像；
圖像識(shí)別模塊檢測(cè)所述形變投影圖像的微形變量；
根據(jù)所述形變投影圖像的微形變量，計(jì)算所述壓電陶瓷片兩端的電壓值；
根據(jù)所述電壓值和分壓比獲取所述壓電陶瓷片的高壓端的電壓值。
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