[發明專利]一種處理半導體激光器的方法在審
| 申請號： | 202110008867.1 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN114724937A | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發明（設計）人： | 單小婷;趙發展;孫昀;王磊;李博;高見頭;羅家俊;滕瑞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/268 | 分類號： | H01L21/268;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 處理 半導體激光器 方法 | ||
1.一種處理半導體激光器的方法，其特征在于，包括：
在半導體激光器的制備過程中，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理，以提高所述半導體激光器的調制帶寬，其中，所述輻照源為粒子輻照源。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用預設輻照源對半導體激光器進行粒子輻照處理之前，還包括：
根據所述半導體激光器的結構以及所述預設輻照源的粒子類型，調整所述預設輻照源的輻照注量。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半導體激光器的制備過程中，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理，包括：
在所述半導體激光器封裝完成之后，利用預設輻照源對所封裝的半導體激光器進行輻照處理。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半導體激光器的制備過程中，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理，包括：
在對所述半導體激光器進行封裝之前，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半導體激光器的制備過程中，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理，包括：
在生長完量子阱之后，且在生長上分布式布拉格反射鏡之前的階段，利用預設輻照源對半導體激光器進行輻照處理。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用預設輻照源對半導體激光器進行粒子輻照處理，包括：
通過所述輻照源發出的粒子束，按照預設輻照方向均勻覆蓋在所述半導體激光器上，對所述半導體激光器進行輻照處理。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述預設輻照方向與所述半導體激光器法線方向的夾角小于90度。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設輻照源為重離子輻照源。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體激光器為垂直腔面發射激光器，所述輻照源為鉭離子，輻照能量范圍為一百萬電子伏特到十億電子伏特，輻照注量范圍在0～1×108離子/cm2。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述垂直腔面發射激光器為通信波長850nm，小信號調制帶寬為10GHz的砷化鎵基垂直腔面發射激光器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
