[發明專利]一種半導體機臺及研磨方法在審
| 申請號: | 202110008727.4 | 申請日: | 2021-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN112775757A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 周小云;黃振偉;王昭欽 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | B24B9/06 | 分類號: | B24B9/06;B24B37/00;B24B37/07;B24B37/34;B24B57/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 楊麗爽 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 機臺 研磨 方法 | ||
1.一種半導體機臺,其特征在于,包括:
第一輸入管道,與所述第一輸入管道連接的第一噴嘴,第一研磨墊;
所述第一輸入管道用于輸入第一研磨液;
所述第一噴嘴用于將所述第一研磨液噴射至所述第一研磨墊上;
所述第一研磨墊用于對晶圓邊緣進行研磨。
2.根據權利要求1所述的機臺,其特征在于,所述第一研磨墊的上部分和/或下部分具有凹槽結構,以用于對所述晶圓的上表面邊緣和下表面邊緣同時進行研磨。
3.根據權利要求1所述的機臺,其特征在于,所述第一研磨墊的上部分和/或下部分具有凸起結構,以對所述晶圓邊緣進行研磨。
4.根據權利要求1所述的機臺,其特征在于,所述第一研磨墊的上部分和下部分可分離,且所述上部分的底部具有缺口,所述下部分的頂部具有缺口,所述上部分的底部的缺口的和所述下部分的頂部的缺口組成凹槽結構,所述第一研磨墊用于分別或同時對所述晶圓的上表面邊緣和下表面邊緣進行研磨。
5.根據權利要求1所述的機臺,其特征在于,還包括:
第二輸入管道,與所述第二輸入管道連接的第二噴嘴,第二研磨墊;
所述第二輸入管道用于輸入第二研磨液,所述第二噴嘴用于將所述第二研磨液噴射至所述第二研磨墊上,所述第二研磨墊用于對所述晶圓表面進行化學機械研磨。
6.根據權利要求1所述的機臺,其特征在于,所述第一輸入管道包括第一支路和第二支路,則所述第一噴嘴與所述第一支路連接;
還包括:與所述第二支路連接的第二噴嘴,第二研磨墊;
所述第二噴嘴用于將所述第一研磨液噴射至所述第二研磨墊上,所述第二研磨墊用于對所述晶圓表面進行化學機械研磨。
7.根據權利要求6所述的機臺,其特征在于,所述第一支路上設置有第一控制閥,所述第一控制閥用于控制流向所述第一噴嘴的所述第一研磨液的流量;
所述第二支路上設置有第二控制閥,所述第二控制閥用于控制流向所述第二噴嘴的所述第一研磨液的流量。
8.根據權利要求1-7任意一項所述的機臺,其特征在于,所述第一噴嘴與可轉動裝置連接,所述可轉動裝置帶動所述第一噴嘴轉動,以調整所述第一噴嘴噴射第一研磨液的角度。
9.根據權利要求1-7任意一項所述的機臺,其特征在于,所述第二研磨墊與可移動裝置連接,所述可移動裝置帶動所述第二研磨墊移動。
10.根據權利要求1-7任意一項所述的機臺,其特征在于,所述晶圓位于晶圓承載裝置上的可升降裝置上,所述可升降裝置用于帶動所述晶圓上下移動。
11.根據權利要求1-7任意一項所述的機臺,其特征在于,所述晶圓承載裝置上設置有旋轉裝置,所述旋轉裝置用于帶動所述晶圓旋轉。
12.一種半導體機臺,其特征在于,包括:
第一研磨墊上,所述第一研磨墊用于對晶圓邊緣進行研磨;
第二研磨墊,所述第二研磨墊用于對所述晶圓表面進行化學機械研磨;
第二噴嘴,所述第二噴嘴與所述第二研磨墊連接,所述第二噴嘴用于將研磨液噴射至所述第二研磨墊和/或所述晶圓表面;
所述第一研磨墊利用所述第二研磨墊研磨后剩余的研磨液對所述晶圓邊緣進行研磨。
13.根據權利要求12所述的機臺,其特征在于,還包括:收集裝置,所述收集裝置用于收集所述第二研磨墊研磨后剩余的研磨液,并噴射至所述第一研磨墊上。
14.根據權利要求13所述的機臺,其特征在于,所述收集裝置位于所述第一研磨墊上,或者位于靠近所述晶圓邊緣的位置。
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