[發明專利]一種基于曲面結構超表面的光電探測器有效
| 申請號： | 202110008516.0 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN112326025B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 周志強;劉倚紅;陽紅濤;王任凡 | 申請（專利權）人： | 武漢敏芯半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | G01J1/42 | 分類號： | G01J1/42;G01J1/02;G01J3/45 |
| 代理公司： | 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448 | 代理人： | 黃耀威 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 曲面 結構 表面 光電 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于曲面結構超表面的光電探測器，其特征在于：由一系列相同周期單元周期性擴展而成，每個所述周期單元包括襯底層，設置在襯底層上的介質層，及設置在介質層上的結構層，所述結構層為在正方體上挖去一半球體而成的帶有半球形凹槽的結構，所述結構層的厚度與所述半球體的半徑相同，所述結構層的長度和寬度等于所述半球體的直徑。
2.根據權利要求1所述的基于曲面結構超表面的光電探測器，其特征在于：所述襯底層和結構層的材料為鈦、鎢、釩或氮化鈦，所述介質層的材料為二氧化硅、鈦、鎢、釩或氮化鈦。
3.根據權利要求1所述的基于曲面結構超表面的光電探測器，其特征在于：所述周期單元的周期T為500nm，所述周期單元一個周期內頂部面積為0.25μm2。
4.根據權利要求1所述的基于曲面結構超表面的光電探測器，其特征在于：結構層的厚度為200nm，所述介質層和襯底層的厚度為250nm。
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