[發(fā)明專利]一種雙頻天線

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110008312.7
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN112821076A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 羅昕;林紅勇;郭智力
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01Q5/55
• 分類號: H01Q5/55;H01Q19/19;H01Q13/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種同軸雙頻天線，其特征在于，包括：波導管，環(huán)形槽和高頻饋源，

所述波導管為筒形結構，用于傳輸?shù)谝浑姶挪ǎ霾▽Ч艿墓鼙诰哂虚_口方向與所述第一電磁波的輸出方向相同的環(huán)形槽，其中，所述第一電磁波的頻率低于所述高頻饋源發(fā)出的電磁波的頻率；

所述高頻饋源位于所述波導管中，與所述波導管同軸。

2.根據(jù)權利要求1所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述高頻饋源的高度與所述波導管的高度相同。

3.根據(jù)權利要求1所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述波導管內壁的半徑和高頻饋源外壁的半徑之和大于所述第一電磁波波長的1/π，上述兩個半徑之差小于所述第一電磁波波長的1/2。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述環(huán)形槽的半徑與所述波導管內壁的半徑之差為所述第一電磁波波長的1/8。

5.根據(jù)權利要求4所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述環(huán)形槽的深度在所述第一電磁波波長的1/5至1/4之間，寬度為所述第一電磁波波長的1/8。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述同軸雙頻天線還包括介質環(huán)，所述介質環(huán)填充在所述波導管和所述高頻饋源之間，所述介質環(huán)為多層結構，與所述波導管同軸，各層介質環(huán)的垂直于所述軸的平面的面積大小呈交替變化，其中，所述介質環(huán)的高度小于所述波導管的高度。

7.根據(jù)權利要求6所述的同軸雙頻天線，其特征在于，相鄰兩層介質環(huán)中的一層介質環(huán)的外壁與所述波導管的內壁相連，且相鄰兩層介質環(huán)中的一層介質環(huán)的內壁與所述高頻饋源的外壁相連。

8.根據(jù)權利要求6或7所述的同軸雙頻天線，其特征在于，與所述波導管的輸出平面距離最遠的那層介質環(huán)不同時與所述波導管和所述高頻饋源相連。

9.根據(jù)權利要求6至8任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，每層介質環(huán)的高度為所述第一電磁波波長的1/4。

10.根據(jù)權利要求6至9任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述介質環(huán)的相對介電常數(shù)在2至4之間。

11.根據(jù)權利要求1至10任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述第一電磁波在所述波導管中激發(fā)橫電模TE₁₁。

12.一種雙拋物面天線，其特征在于，所述雙頻拋物面天線包括：主反射面、副反射面和根據(jù)權利要求1至11任一項所述的同軸雙頻天線。