[發明專利]電子裝置、數據處理裝置及電子設備

在審

• 申請號: 202110008063.1
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN112787649A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 劉升鑫
• 申請（專利權）人: 北京集創北方科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本公開涉及電子裝置、數據處理裝置及電子設備，所述裝置包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管及電壓保持單元，所述電子裝置用于將屬于第一電壓范圍的輸入信號轉換為屬于第二電壓范圍的輸出信號。本公開實施例提出的電子裝置，當產生所述輸入信號的第三電源電壓在維持一段時間消失時，可以維持第一端的所述輸出信號的反相信號的電位，并維持第二端的輸出信號的電位，使得在其中一個電源停止工作時，保持輸出信號的穩定，且，利用減少一個電源進行工作，可以降低功耗。

技術領域

本公開涉及電源管理技術領域，尤其涉及一種電子裝置、數據處理裝置及電子設備。

背景技術

電子裝置通常用于半導體電路中以將一個電壓域中的信號電平轉換成另一域中的不同電壓電平。目前，相關技術中的電子裝置通常利用雙電源進行電平轉換，在其中一個電源由于某些原因停止工作的情況下，相關技術中的電子裝置無法穩定的工作，輸出信號不穩定，導致根據輸出信號進行動作的后級電路出現流過貫通電流的問題，并且，相關技術中的電子裝置在實現其功能時，存在功耗較高的問題。

發明內容

有鑒于此，本公開提出了一種電子裝置、數據處理裝置及電子設備，以解決在其中一個電源由于某些原因停止工作的情況下，電子裝置無法穩定的工作，輸出信號不穩定的問題。

根據本公開的一個方面，提出了一種電子裝置，所述裝置包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管及電壓保持單元，所述電子裝置用于將屬于第一電壓范圍的輸入信號轉換為屬于第二電壓范圍的輸出信號，其中，

所述第一NMOS晶體管的柵極用于接收輸入信號，所述第一NMOS晶體管的漏極電連接于所述第一PMOS晶體管的漏極，所述第一NMOS晶體管的源極接地，

所述第二NMOS晶體管的柵極用于接收所述輸入信號的反相信號，所述第二NMOS晶體管的漏極電連接于所述第二PMOS晶體管的漏極，所述第二NMOS晶體管的源極接地，

所述第一PMOS晶體管的源極電連接于所述電壓保持單元的第一端，所述電壓保持單元的第一端的電壓信號為所述輸出信號的反相信號；

所述第二PMOS晶體管的源極電連接于所述電壓保持單元的第二端，用于輸出所述輸出信號，

所述電壓保持單元的第一電源端用于輸入第一電源電壓，所述第一PMOS晶體管的柵極、所述第二PMOS晶體管的柵極及所述電壓保持單元的第二電源端用于輸入第二電源電壓，其中，當產生所述輸入信號的第三電源電壓在維持一段時間消失時，所述電壓保持單元用于維持所述輸出信號的電位及所述輸出信號的反相信號的電位。

在一種可能的實施方式中，所述裝置還包括第一反相器，所述第一反相器的輸入端電連接于所述第一NMOS晶體管的柵極，所述第一反相器的輸出端電連接于所述第二NMOS晶體管的柵極，所述第一反相器的電源端用于輸入所述第三電源電壓，所述第一反相器的接地端接地，

其中，所述第一反相器用于將所述輸入信號進行反向處理，輸出所述輸入信號的反相信號。

在一種可能的實施方式中，所述電壓保持單元包括第二反相器及第三反相器，其中，所述第二反相器及所述第三反相器交叉耦合。

在一種可能的實施方式中，所述第二反相器包括第三NMOS晶體管和第三PMOS晶體管，所述第三反相器包括第四NMOS晶體管和第四PMOS晶體管，其中：

所述第三NMOS晶體管的漏極電連接于所述第三PMOS晶體管的漏極、所述第四NMOS晶體管的柵極、所述第四PMOS晶體管的柵極及所述第一PMOS晶體管的源極，用于產生所述輸出信號的反相信號，

所述第三NMOS晶體管的柵極電連接于所述第三PMOS晶體管的柵極、所述第四NMOS晶體管的漏極、所述第四PMOS晶體管的漏極及所述第二PMOS晶體管的源極，用于產生所述輸出信號，