[發(fā)明專利]像素電極及其驅(qū)動方法、液晶顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110007718.3
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN112612162B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉毅
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G09G3/36
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發(fā)明實施例提供一種像素電極，所述像素電極包括邊框電極和龍骨電極，所述邊框電極圍成封閉區(qū)域，所述龍骨電極位于所述封閉區(qū)域內(nèi)，所述龍骨電極至少包括垂直交叉的第一主干和第二主干，所述第一主干和所述第二主干將所述封閉區(qū)域劃分為四個子區(qū)，任意相鄰的兩個所述子區(qū)所組成的區(qū)域的形狀為寶塔狀。本發(fā)明實施例提供的像素電極在其自身的長寬比較大時，也能夠使其對應(yīng)的液晶區(qū)域中的液晶正常配向，從而提高像素電極的穿透率。本發(fā)明實施例還提供該像素電極的驅(qū)動方法及具有該像素電極的液晶顯示面板。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電極及其驅(qū)動方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)

高質(zhì)量垂直配向(High-Quality Vertical Alignment，HVA)型薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)中的液晶為負(fù)性液晶，在投入使用前需要使用電場和聚合技術(shù)對其進(jìn)行配向。由于HVA型TFT-LCD中的金屬走線會擠占像素空間，導(dǎo)致像素電極的長寬比較大，而較大長寬比的像素電極會使液晶發(fā)生配向異常現(xiàn)象，嚴(yán)重?fù)p害像素電極的穿透率。

發(fā)明內(nèi)容

因此，有必要提供一種像素電極及其驅(qū)動方法、液晶顯示面板，用以解決現(xiàn)有的像素電極在長寬比較大時導(dǎo)致液晶配向異常從而嚴(yán)重?fù)p害像素穿透率的技術(shù)問題。

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種像素電極，包括邊框電極和龍骨電極，所述邊框電極圍成封閉區(qū)域，所述龍骨電極位于所述封閉區(qū)域內(nèi)，所述龍骨電極至少包括垂直交叉的第一主干和第二主干，所述第一主干和所述第二主干將所述封閉區(qū)域劃分為四個子區(qū)，任意相鄰的兩個所述子區(qū)所組成的區(qū)域的形狀為寶塔狀，以提高所述像素電極的穿透率。

在一些實施例中，所述第一主干和所述第二主干將所述邊框電極劃分為四個分段，四個所述分段以所述第一主干和所述第二主干的交叉點成中心對稱設(shè)置，每一所述分段包括與所述第一主干平行的第一子段、與所述第二主干平行的第二子段以及連接所述第一子段和所述第二子段的連接段，所述連接段包括一組連接分段，所述連接分段包括與所述第二子段平行的第三子段和與所述第一子段平行的第四子段，所述第三子段和所述第四子段垂直連接，所述第三子段的自由端與所述第一子段連接，所述第四子段的自由端與所述第二子段連接，所述第一子段與所述第一主干之間的距離大于所述第四子段與所述第一主干之間的距離，所述第二子段與所述第二主干之間的距離大于所述第三子段與所述第二主干之間的距離。

在一些實施例中，所述第一主干和所述第二主干將所述邊框電極劃分為四個分段，四個所述分段以所述第一主干和所述第二主干的交叉點成中心對稱設(shè)置，每一所述分段包括與所述第一主干平行的第一子段、與所述第二主干平行的第二子段以及連接所述第一子段和所述第二子段的連接段，所述連接段包括N組連接分段，N為大于或等于2的整數(shù)，每一所述連接分段包括與所述第二子段平行的第三子段和與所述第一子段平行的第四子段，所述第三子段和所述第四子段垂直連接，第1組所述連接分段的所述第三子段的自由端與所述第一子段連接，第N組所述連接分段的所述第四子段的自由端與所述第二子段連接，且第M組所述連接分段的所述第三子段的自由端與第M-1組所述連接分段的所述第四子段的自由端連接，其中，M為大于1且小于或等于N的任意一個整數(shù)，所述第一子段與所述第一主干之間的距離大于任意一個所述第四子段與所述第一主干之間的距離，且第M組所述連接分段的所述第四子段與所述第一主干之間的距離小于第M-1組所述連接分段的所述第四子段與所述第一主干之間的距離，所述第二子段與所述第二主干之間的距離大于任意一個所述第三子段與所述第二主干之間的距離，且第M組所述連接分段的所述第三子段與所述第二主干之間的距離大于第M-1組所述連接分段的所述第三子段與所述第二主干之間的距離。

在一些實施例中，所述第四子段與所述第一主干之間的距離和所述第二子段與所述第二主干之間的距離的比值大于或等于1且小于或等于2.5，所述第一子段與所述第四子段之間的距離和所述第三子段與所述第二主干之間的距離的比值大于或等于2且小于或等于3。