[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110007704.1
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN113097123A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 張皓筌;任楷
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/763
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一襯底，具有一溝槽；

一氧化層，共形地位于所述溝槽中；

一保護層，位于所述溝槽中且共形地位于所述氧化層上；以及

一絕緣材料層，填充于所述溝槽中且位于所述保護層的上方，

其中，所述絕緣材料層的頂面高于所述保護層的頂面。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層還延伸至所述襯底的頂面，以定義所述氧化層的頂面。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述絕緣材料層的所述頂面與所述氧化層的所述頂面之間的一高度差與所述保護層的厚度相等。

4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層的所述頂面與所述保護層的所述頂面共平面。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

一氮化層，位于所述溝槽中且共形地位于所述保護層上，且所述絕緣材料層位于所述氮化層上，其中所述氮化層的頂面與所述絕緣材料層的所述頂面共平面。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述氮化層的所述頂面高于所述保護層的所述頂面。

7.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，還包括一原生氧化物共形地位于所述氮化層上，且位于所述氮化層和所述絕緣材料層之間，其中所述原生氧化物的頂面與所述絕緣材料層的所述頂面共平面。

8.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層延伸至所述溝槽外的所述襯底的頂面處以定義所述氧化層的頂面，所述氮化層的頂面與所述氧化層的所述頂面之間的一高度差與所述保護層的厚度相等。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層包括一多晶硅層，所述絕緣材料層包括介電常數小于4的一介電材料。

10.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底具有溝槽；

在所述襯底上依序形成一氧化層和一保護層，且所述氧化層和所述保護層順應性地形成于所述溝槽中，并于所述溝槽中形成一開口；

在所述保護層的上方形成一犧牲材料，且所述犧牲材料填入所述開口；

移除部分的所述犧牲材料，并暴露出所述保護層的頂面；

移除留下的所述犧牲材料，以暴露出所述開口；

在所述開口中形成一絕緣材料層；以及

移除部分的所述保護層，以暴露出所述氧化層的頂面，

其中所述絕緣材料層的頂面高于所述保護層的所述頂面。

11.如權利要求10所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述絕緣材料層的所述頂面與所述氧化層的所述頂面之間的一高度差與所述保護層的厚度相等。

12.如權利要求10所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述襯底上依序形成所述氧化層、所述保護層和一氮化層，且所述氧化層、所述保護層和所述氮化層順應性地形成于所述溝槽中，并于所述溝槽中形成所述開口；

其中，填入所述開口的所述犧牲材料形成于所述氮化層的上方。

13.如權利要求12所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在形成所述犧牲材料于所述氮化層上之后，以及移除留下的所述犧牲材料之前，還包括：

回蝕部分的所述犧牲材料，以暴露出所述氮化層的頂面；以及

移除部分的所述氮化層，以暴露出所述保護層的所述頂面。