[發明專利]一種虛擬溝道孔的制備方法及三維存儲器有效
| 申請號： | 202110007211.8 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN112864163B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 李貝貝;許宗珂;袁彬;王同;張強威 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11551 | 分類號： | H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高園園 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 虛擬 溝道 制備 方法 三維 存儲器 | ||
1.一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
提供一襯底，所述襯底上設有多個芯片單元，相鄰所述芯片單元之間設有切割道區，所述切割道區內設有一圖形對準區；
所述襯底包括層疊設置的第一疊置層、第二疊置層、第三疊置層、第四疊置層及第五疊置層，所述第五疊置層表面設有頂層疊置層；
間隔不同預設距離，沿所述頂層疊置層向下刻蝕至所述第一疊置層表面停止，在所述圖形對準區形成多個開口；
移除所述圖形對準區表面的頂層疊置層，暴露所述第五疊置層；
在所述多個開口及所述第五疊置層表面沉積隔離材料層；
平坦化處理所述圖形對準區內的所述隔離材料層及所述第五疊置層，使剩余所述隔離材料層與所述第四疊置層表面平齊；
移除所述第四疊置層，獲得對準標記用來供所述虛擬溝道孔對準，所述對準標記為多組規則排列的溝槽。
2.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述第一疊置層、第二疊置層、第三疊置層、第四疊置層及第五疊置層之間的厚度不相同。
3.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述溝槽的寬度與待對準的所述虛擬溝道孔的寬度相等。
4.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述第四疊置層的厚度不小于270nm。
5.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述圖形對準區呈回字型。
6.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述圖形對準區內包括多組所述對準標記。
7.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，所述圖形對準區中形成的所述溝槽的位置對應于所述芯片單元中的所述虛擬溝道孔所在的位置。
8.根據權利要求1所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，在所述圖形對準區形成多個溝槽的工藝步驟與所述芯片單元內的刻蝕過程同時進行。
9.根據權利要求8所述一種虛擬溝道孔的制備方法，其特征在于，將制備多個開口所需的光罩圖案設置在所述芯片單元刻蝕所用光罩的對應切割道的位置上。
10.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器采用如權利要求1至權利要求9中任一項所述的虛擬溝道孔的制備方法獲得。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
