[發(fā)明專利]芯片制造流程預(yù)測(cè)方法及芯片制造流程預(yù)測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110006934.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112670217B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祁斌;劉杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 制造 流程 預(yù)測(cè) 方法 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種芯片制造流程預(yù)測(cè)方法及芯片制造流程預(yù)測(cè)裝置。所述芯片制造流程預(yù)測(cè)方法包括如下步驟:按照優(yōu)先級(jí)的高低順序?qū)Φ却M(jìn)入一處理機(jī)臺(tái)的多個(gè)任務(wù)進(jìn)行排序,得到當(dāng)前任務(wù)列表;進(jìn)行循環(huán)步驟,所述循環(huán)步驟包括:判斷處理機(jī)臺(tái)當(dāng)前資源空間是否空閑,若是,則將資源空間分配給當(dāng)前任務(wù)列表中優(yōu)先級(jí)最高的任務(wù);判斷是否執(zhí)行完成所述當(dāng)前任務(wù)列表中優(yōu)先級(jí)最高的任務(wù),若是,則釋放所述資源空間,并更新當(dāng)前任務(wù)列表,以去除已被執(zhí)行完的所述任務(wù)之后剩余的若干任務(wù)及其對(duì)應(yīng)的優(yōu)先級(jí)順序構(gòu)成的任務(wù)列表作為下一次循環(huán)的當(dāng)前任務(wù)列表。本發(fā)明增加了派工調(diào)度結(jié)果的可預(yù)測(cè)性、可控制性,提高了預(yù)測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性,提高了生產(chǎn)活動(dòng)的效能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片制造流程預(yù)測(cè)方法及芯片制造流程預(yù)測(cè)裝置。
背景技術(shù)
隨著平面型閃存存儲(chǔ)器的發(fā)展,半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝取得了巨大的進(jìn)步。但是最近幾年,平面型閃存的發(fā)展遇到了各種挑戰(zhàn):物理極限、現(xiàn)有顯影技術(shù)極限以及存儲(chǔ)電子密度極限等。在此背景下,為解決平面閃存遇到的困難以及追求更低的單位存儲(chǔ)單元的生產(chǎn)成本,各種不同的三維(3D)閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生,例如3D NOR(3D或非)閃存和3D NAND(3D與非)閃存。
3D NAND存儲(chǔ)器是一種從二維到三維通過堆疊技術(shù)而形成的存儲(chǔ)器。隨著集成電路生成工藝的成熟化,3D NAND存儲(chǔ)器對(duì)各層生成工藝的成本和工藝性能要求越來(lái)越高。隨著對(duì)3D NAND存儲(chǔ)器更高的存儲(chǔ)功能的需求,其堆疊的層數(shù)在不斷的增加。
在3D NAND存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體芯片的制造過程中,派工被定義為對(duì)待派工工件進(jìn)行排序和選擇加工的過程,用于控制已投料的工件在系統(tǒng)中的具體流動(dòng)。派工規(guī)則為一種能夠根據(jù)相關(guān)信息(例如時(shí)間相關(guān)信息或工作負(fù)荷相關(guān)信息)計(jì)算出每個(gè)待派工工件優(yōu)先級(jí)指標(biāo)的直接數(shù)學(xué)表達(dá)式或者實(shí)時(shí)算法。芯片制造流程預(yù)測(cè)是指,根據(jù)一定的派工規(guī)則建立數(shù)學(xué)表達(dá)式,預(yù)測(cè)出當(dāng)前已投料的工件未來(lái)一段時(shí)間會(huì)在哪些時(shí)間點(diǎn)抵達(dá)何種操作設(shè)備。根據(jù)決策信息來(lái)源、決策信息種類、應(yīng)用范圍、處理機(jī)臺(tái)的空閑情況、派工決策性質(zhì)等不同的分類標(biāo)準(zhǔn),可將現(xiàn)有的派工策略劃分為局部、全局、面向整個(gè)晶圓廠、面向特定處理機(jī)臺(tái)、靜態(tài)、復(fù)合、啟發(fā)響應(yīng)、處理機(jī)臺(tái)負(fù)載度、前攝性等不同的派工策略類別。基于這些派工策略方法建立預(yù)測(cè)模型是當(dāng)前的晶圓制造派工計(jì)劃有代表性的解決方案。但是,當(dāng)前的預(yù)測(cè)模型在預(yù)測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性以及眾多派工規(guī)則的兼容性方面還存在著較大的缺陷。
因此,如何提高芯片制造流程預(yù)測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性,從而增加制造流程的可控性,提高生產(chǎn)活動(dòng)的效能,是當(dāng)前亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種芯片制造流程預(yù)測(cè)方法及芯片制造流程預(yù)測(cè)裝置,用于解決現(xiàn)有的芯片制造流程預(yù)測(cè)模型預(yù)測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確度較低的問題,以增加派工調(diào)度結(jié)果的可預(yù)測(cè)性及可控性,同時(shí)提高生產(chǎn)活動(dòng)的效能。
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種芯片制造流程預(yù)測(cè)方法,包括如下步驟:
按照優(yōu)先級(jí)的高低順序?qū)Φ却M(jìn)入一處理機(jī)臺(tái)的多個(gè)任務(wù)進(jìn)行排序,得到由多個(gè)所述任務(wù)及其對(duì)應(yīng)的優(yōu)先級(jí)順序構(gòu)成的當(dāng)前任務(wù)列表;
進(jìn)行循環(huán)步驟,所述循環(huán)步驟包括:
判斷所述處理機(jī)臺(tái)當(dāng)前資源空間是否空閑,若是,則將所述資源空間分配給所述當(dāng)前任務(wù)列表中優(yōu)先級(jí)最高的任務(wù);
判斷所述處理機(jī)臺(tái)是否執(zhí)行完成所述當(dāng)前任務(wù)列表中優(yōu)先級(jí)最高的任務(wù),若是,則釋放所述資源空間,并更新所述當(dāng)前任務(wù)列表,以去除已被執(zhí)行完的所述任務(wù)之后剩余的若干任務(wù)及其對(duì)應(yīng)的優(yōu)先級(jí)順序構(gòu)成的任務(wù)列表作為下一次循環(huán)的當(dāng)前任務(wù)列表。
可選的,按照優(yōu)先級(jí)的高低順序?qū)Φ却M(jìn)入一處理機(jī)臺(tái)的多個(gè)任務(wù)進(jìn)行排序的具體步驟包括:
針對(duì)多種類別的制程,計(jì)算每一類所述制程進(jìn)行過程中所需占用的各機(jī)臺(tái)的負(fù)載量;
獲取每一類所述制程中負(fù)荷最小的機(jī)臺(tái)位置,形成能夠接收任務(wù)的處理機(jī)臺(tái)列表;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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