[發明專利]一種具有超晶格結構緩沖層的相變存儲單元及制備方法在審
| 申請號： | 202110006769.4 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN112909162A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | 徐明;于閏;徐開朗;繆向水 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信聯合知識產權代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 晶格 結構 緩沖 相變 存儲 單元 制備 方法 | ||
1.一種具有超晶格結構緩沖層的相變存儲單元，其特征在于，所述相變存儲單元包括：
襯底以及依次設置在所述襯底上的底電極、緩沖層、相變材料層和頂電極，所述緩沖層包括周期性交替層疊的n個第一子層和n個第二子層構成的超晶格結構，所述第一子層和所述第二子層的材料均為熱電材料。
2.根據權利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述第一子層的材料為Sb2Te3，所述第二子層的材料為Bi2Te3。
3.根據權利要求1或2所述的相變存儲單元，其特征在于，所述第一子層的厚度為2～5nm，所述第二子層的厚度為2～5nm。
4.根據權利要求1或2所述的相變存儲單元，其特征在于，所述第一子層和所述第二子層的交替層疊周期次數n為10～30。
5.根據權利要求4所述的相變存儲單元，其特征在于，所述相變材料層的厚度為50～100nm。
6.一種具有超晶格結構緩沖層的相變存儲單元的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上形成底電極；
在所述底電極上制備緩沖層，所述緩沖層包括周期性交替層疊的n個第一子層和n個第二子層構成的超晶格結構，所述第一子層和所述第二子層的材料均為熱電材料；
在所述緩沖層上制備相變材料層；
在所述相變材料層制備頂電極。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一子層的材料為Sb2Te3，所述第二子層的材料為Bi2Te3。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述第一子層的厚度為2～5nm，所述第二子層的厚度為2～5nm。
9.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述第一子層和所述第二子層的交替層疊周期次數n為10～30。
10.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述緩沖層上制備相變材料層之前，對所述緩沖層在氮氣氣氛中進行退火處理，退火時間10min，退火溫度為400℃。
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