[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片制備方法及發(fā)光二極管芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110006545.3 | 申請日： | 2021-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN112820808A | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張圣君;胡根水;孫虎;李俊生 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 芯片 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的外延層與電極，所述電極與所述外延層相連且所述電極位于所述外延層上，所述電極包括依次層疊在所述外延層上的Cr電極金屬層、Al電極金屬層、Ti電極金屬層、第一Ni電極金屬層、第一Pt電極金屬層、第二Ni電極金屬層、第二Pt電極金屬層、Au電極金屬層，所述第一Ni電極金屬層、所述第一Pt電極金屬層、所述第二Ni電極金屬層、所述第二Pt電極金屬層、所述Au電極金屬層均與所述外延層相接觸，且所述第一Ni電極金屬層包覆所述Cr電極金屬層、所述Al電極金屬層與所述Ti電極金屬層，所述第一Pt電極金屬層包覆所述第一Ni電極金屬層，所述第二Ni電極金屬層包覆所述第一Pt電極金屬層，所述第二Pt電極金屬層包覆所述第二Ni電極金屬層，所述Au電極金屬層包覆所述第二Pt電極金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一Ni電極金屬層的厚度大于所述第一Pt電極金屬層，所述第二Ni電極金屬層的厚度大于所述第二Pt電極金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一Ni電極金屬層的厚度等于所述第二Ni電極金屬層的厚度，所述第一Pt電極金屬層的厚度等于所述第二Pt電極金屬層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述Cr電極金屬層的厚度為10A～300A，所述第一Ni電極金屬層的厚度為500A～3000A，所述第一Pt電極金屬層的厚度為300A～2000A，所述第二Ni電極金屬層的厚度為500A～3000A，所述第二Pt電極金屬層的厚度為300A～2000A。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述Au電極金屬層的厚度大于所述第二Pt電極金屬層的厚度。
6.一種發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片制備方法包括：
提供一發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底及在所述襯底上層疊的外延層；
在所述外延層的表面涂覆光刻膠，所述光刻膠上具有連通所述外延層的表面的電極制備孔；
在所述電極制備孔及所述光刻膠遠(yuǎn)離所述外延片的表面依次蒸鍍Cr、Al、TI、Ni、Pt、Ni、Pt、Au，以在所述電極制備孔內(nèi)形成依次層疊在所述外延片的表面的Cr電極金屬層、Al電極金屬層、Ti電極金屬層、第一Ni電極金屬層、第一Pt電極金屬層、第二Ni電極金屬層、第二Pt電極金屬層、Au電極金屬層，并在所述光刻膠的遠(yuǎn)離所述外延片的表面依次形成Cr金屬層、Al金屬層、Ti金屬層、第一Ni金屬層、第一Pt金屬層、第二Ni金屬層、第二Pt金屬層、Au金屬層，所述第一Ni電極金屬層、所述第一Pt電極金屬層、所述第二Ni電極金屬層、所述第二Pt電極金屬層、所述Au電極金屬層均與所述外延層相接觸，且所述第一Ni電極金屬層包覆所述Cr電極金屬層、所述Al電極金屬層與所述Ti電極金屬層，所述第一Pt電極金屬層包覆所述第一Ni電極金屬層，所述第二Ni電極金屬層包覆所述第一Pt電極金屬層，所述第二Pt電極金屬層包覆所述第二Ni電極金屬層，所述Au電極金屬層包覆所述第二Pt電極金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述第一Ni電極金屬層的蒸鍍速率為2～10A/s。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述第一Ni電極金屬層的蒸鍍溫度為25-70℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述第二Ni電極金屬層的蒸鍍速率等于所述第一Ni電極金屬層的蒸鍍速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～8任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述第二Ni電極金屬層的蒸鍍溫度小于所述第一Ni電極金屬層的蒸鍍溫度。
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