[發明專利]一種相控陣天線供電模擬系統及檢測系統在審
| 申請號: | 202110006507.8 | 申請日: | 2021-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN112858808A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 蔣敏;唐凱;彭希浩;陳建波;羅烜 | 申請(專利權)人: | 成都天銳星通科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;G01R31/40 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李莎 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新區中國(四川)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 相控陣 天線 供電 模擬 系統 檢測 | ||
1.一種相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述相控陣天線供電模擬系統包括:控制器、電源模塊、線性開關模塊以及儲能模塊,所述控制器分別與所述電源模塊的控制端、所述線性開關模塊的控制端連接,所述線性開關模塊的輸入端連接于所述電源模塊的輸出端,所述線性開關模塊的輸出端連接于相控陣天線的輸入端連接,所述儲能模塊的一端連接于所述線性開關模塊與所述相控陣天線的輸入端之間;
所述控制器用于向所述電源模塊發送電壓指令,還用于按照預設的線性度向所述線性開關模塊發送驅動電壓;
所述電源模塊用于在接收到所述電壓指令后,輸出與所述電壓指令對應的電壓;
所述線性開關模塊用于在接收到所述驅動電壓后,切換為與所述驅動電壓對應的開合度;
所述儲能模塊用于為所述相控陣天線進行緩存供能。
2.如權利要求1所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述相控陣天線供電模擬系統還包括采集模塊,所述采集模塊與所述相控陣天線、所述控制器電連接;
所述采集模塊用于采集加載至所述相控陣天線的當前電壓,并將當前電壓傳輸給所述控制器;
所述控制器依據所述當前電壓對調整所述線性度,以使所述當前電壓按照預設定的斜率進行變化。
3.如權利要求1所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述線性開關模塊包括第一NMOS管和充電泵;
所述第一NMOS管的柵極與所述控制器連接,所述第一NMOS管的漏極與所述電源模塊的輸出端連接,所述第一NMOS管的源極與所述相控陣天線連接;
所述控制器用于按照預設的線性度向所述第一NMOS管的柵極施加高邊的驅動電壓,以改變所述第一NMOS管的開合度;
所述充電泵用于當所述第一NMOS管導通后,依據所述第一NMOS管的源極的電平,對所述第一NMOS管的柵極進行電壓補償,以使所述第一NMOS管的柵極與源極之間的壓差保持為高邊的驅動電壓。
4.如權利要求3所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述線性開關模塊還包括第二NMOS管;
所述第二NMOS管的柵極與所述控制器連接,所述第二NMOS管的源極接地,所述第二NMOS管的漏極連接于所述儲能模塊與所述第一NMOS管的源極之間;
所述控制器用于當高邊的驅動電壓為0時,向所述第二NMOS管的柵極施加低邊的驅動電壓,以改變所述第二NMOS管的開合度;
所述第二NMOS管用于按照與所述第二NMOS管的開合度對應的電流大小,對所述儲能模塊進行放電。
5.如權利要求4所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述線性開關模塊還包括轉換模塊和功率放大模塊,所述轉換模塊的兩個輸入端與所述控制器連接,所述轉換模塊的兩個輸出端分別與所述功率放大模塊的兩個輸入端連接,所述功率放大模塊的兩個輸出端分別與所述第一NMOS管的柵極、所述第二NMOS管的柵極連接;
所述轉換模塊用于將所述控制器輸出的數字信號轉換為對應的電壓信號,并通過于所述數字信號對應的輸出端傳輸給所述功率放大模塊;
所述功率放大模塊用于對所述電壓信號進行放大,獲得對應的高邊的驅動電壓或底邊的驅動電壓,并將高邊的驅動電壓加載至所述第一NMOS管的柵極,將低邊的驅動電壓加載至所述第二NMOS管的柵極。
6.如權利要求1所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述儲能模塊為電容。
7.如權利要求1所述的相控陣天線供電模擬系統,其特征在于,所述控制器與工況機連接;
所述工況機用于向所述控制器輸入工況配置文件,所述工況配置文件包括每一種電壓指令、不同電壓指令對應的時間區間、每一種線性度以及不同線性度對應的時間區間;
所述控制器用于依據所述工況配置文件調整所述電壓指令和所述線性度。
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