[發(fā)明專利]驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110005492.3 | 申請日: | 2021-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN112838051A | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉俊領(lǐng) | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 驅(qū)動(dòng) 電路板 制作方法 | ||
1.一種驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層包括至少一薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管層上形成第一金屬層以及第一無機(jī)層;
去除至少部分位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的所述第一無機(jī)層,以形成第一端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,在所述薄膜晶體管層上形成第一金屬層以及第一無機(jī)層的步驟包括:
在所述薄膜晶體管層上形成一第一金屬材料層;
在所述第一金屬材料層上形成一第一無機(jī)材料層;
所述第一金屬材料層以及所述第一無機(jī)材料層經(jīng)第一圖案化處理形成所述第一金屬層以及所述第一無機(jī)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,所述第一金屬材料層以及所述第一無機(jī)材料層經(jīng)第一圖案化處理形成所述第一金屬層以及所述第一無機(jī)層的步驟包括:
在所述第一無機(jī)材料層上形成一第一光阻材料層;
利用一第一掩膜版對所述第一光阻材料層曝光;
所述第一光阻材料層經(jīng)顯影后形成第一光阻區(qū)以及第一無光阻區(qū);
利用第一蝕刻工藝去除所述第一無光阻區(qū)對應(yīng)的所述第一金屬材料層以及所述第一無機(jī)材料層,以形成所述第一金屬層以及所述第一無機(jī)層;
去除所述第一光阻材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,在所述薄膜晶體管層上形成第一金屬層以及第一無機(jī)層的步驟包括:
在所述薄膜晶體管層上形成一第一金屬材料層;
所述第一金屬材料層經(jīng)第二圖案化處理形成所述第一金屬層;
在所述第一金屬層上形成第一無機(jī)材料層;
所述第一無機(jī)材料層經(jīng)第三圖案化處理形成所述第一無機(jī)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,去除至少部分位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的所述第一無機(jī)層,以形成第一端子的步驟包括:
在所述第一無機(jī)層上形成一第四光阻材料層;
利用一第四掩膜版對所述第四光阻材料層曝光;
所述第四光阻材料層經(jīng)顯影后形成第四光阻區(qū)以及第四無光阻區(qū),其中,所述第一無機(jī)層位于所述第四無光阻區(qū)內(nèi);
利用第四蝕刻工藝去除所述第一無機(jī)層,以使所述第一金屬層形成所述第一端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,去除至少部分位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的所述第一無機(jī)層,以形成第一端子的步驟包括:
在所述第一無機(jī)層上形成一第五光阻材料層;
利用一第五掩膜版對所述第五光阻材料層曝光;
所述第五光阻材料層經(jīng)顯影后形成第五光阻區(qū)以及第五無光阻區(qū);
利用第五蝕刻工藝去除所述第五無光阻區(qū)內(nèi)的第一無機(jī)層,以使所述第一保護(hù)層以及所述第一金屬層形成所述第一端子;
至少去除位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的所述第一保護(hù)層對應(yīng)的所述第五光阻材料層;
其中,所述第一保護(hù)層包括至少一位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的第一開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,所述第一保護(hù)層位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè);或者,
所述第一保護(hù)層位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)、所述第一金屬層靠近所述薄膜晶體管的一側(cè)、以及所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法,其特征在于,在襯底上形成薄膜晶體管層之后、在所述薄膜晶體管層上形成第一金屬層以及第一無機(jī)層之前,或者,在所述薄膜晶體管層上形成第一金屬層以及第一無機(jī)層之后,所述驅(qū)動(dòng)電路板的制作方法還包括:在所述薄膜晶體管層上形成遮光層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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