[發明專利]一種消除質子氫的涂覆隔膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202110005388.4
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN112886133A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 董秋春;白耀宗;李子陽;劉杲珺;薛山;劉志剛;史新明;吳奇陽;朱滕輝
• 申請（專利權）人: 中材鋰膜有限公司
• 主分類號: H01M50/403
• 分類號: H01M50/403;H01M50/434;H01M50/426;H01M50/417
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 莊沙麗;徐冬濤

1.一種消除質子氫的涂覆隔膜，其特征在于：其包括基膜和涂層，涂層由涂覆漿料涂覆在基膜表面干燥形成，涂覆漿料由無機陶瓷涂覆材料或有機涂料與分散劑混合后加入到溶劑中進行球磨或攪拌，再加入包含給電子基團的樹脂形成。

2.一種消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）將無機陶瓷涂覆材料或有機涂料與分散劑混合后加入到溶劑中，進行球磨或攪拌，之后加入包含給電子基團的樹脂，并攪拌，得到涂覆漿料；（2）將得到的漿料涂覆在基膜表面，干燥處理后得到復合隔膜。

3.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）得到的漿料中，重量百分含量如下：所述無機陶瓷涂覆材料為所述漿料的0%-50%，所述有機涂料為所述漿料的0%-25%，所述分散劑為無機陶瓷涂覆材料或有機涂料的0.02%-0.45%，所述包含給電子基團的樹脂為無機陶瓷涂覆材料或有機涂料的0.1%-60%或所述漿料的0.02%-30%。

4.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中無機陶瓷涂覆材料為Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、MgO、Mg(OH)₂、黏土、ZrO₂、SiC的陶瓷粉料中的一種或兩種以上；有機涂覆材料為聚偏二氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚環氧乙烷、聚丙烯腈、芳綸的有機粉料或懸浮液中的一種或兩種以上。

5.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中分散劑為聚吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、十二烷基苯磺酸鈉中的一種或兩種以上的混合分散劑。

6.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中的溶劑為水、丙酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亞砜、四甲基亞砜中的一中或兩種以上的混合溶液。

7.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中包含給電子基團的樹脂是聚乙烯吡啶、二乙烯苯交聯樹脂、聚二烷基氨基烷基/甲基丙烯酰胺、丙烯酰氧基硅樹脂、羥基丙烯酸樹脂、聚酰胺樹脂中的一種或兩種以上的混合。

8.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中包含給電子基團的樹脂中給電子基團包含基團包含：氧負離子、二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羥基、烷氧基、酰胺基、酰氧基中的一種或兩種以上。

9.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中所述基膜為多孔聚乙烯膜或多孔聚丙烯膜或多孔聚偏氟乙烯膜或聚酰胺無紡布或聚酯無紡布或聚烯烴無紡布或混合膜，混合膜為聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚酰胺中的兩種或兩種以上成分構成的混合膜。

10.根據權利要求2所述的消除質子氫的涂覆隔膜的制備方法，其特征在于：步驟（1）中進行球磨時間為0-6h；加入包含給電子基團的樹脂后采用機械攪拌，機械攪拌在20-80℃條件下進行，機械攪拌時間為3-12h；步驟（2）中干燥處理溫度為50-85℃，漿料的涂覆厚度為30nm-6μm。