[發明專利]刻蝕腔室與設計及制造刻蝕腔室的上電極的方法

在審

• 申請號: 202110004630.6
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112863991A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 黃海輝;霍宗亮;劉高山;鄭亮;王星;張小強
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種刻蝕腔室，包括：

上電極，包括可相互分離的中心電極和邊緣電極，其中所述中心電極包括可相互分離的多個電極部件；

下電極，與所述上電極相對設置，所述下電極耦接射頻功率源，以使所述下電極與所述電極部件之間形成電場。

2.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，所述中心電極劃分為與所述多個電極部件對應的區域，所述多個電極部件是選自一套預置的電極部件，所述一套電極部件包括對應于每個所述區域的一個電極部件或多個可替換電極部件，其中所述多個可替換電極部件的下表面形貌不同。

3.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，所述多個電極部件包括位于中央的圓形電極部件和圍繞所述圓形電極部件的至少一個圓環形電極部件。

4.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，所述多個電極部件中至少部分電極部件的下表面形貌不同。

5.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，所述多個電極部件中每一電極部件的下表面為平坦表面、凸起形狀或下凹形狀。

6.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，還包括靜電卡盤，設于所述上電極和下電極之間。

7.根據權利要求1所述的刻蝕腔室，其特征在于，所述中心電極的尺寸與待刻蝕晶圓的尺寸相同。

8.一種設計刻蝕腔室的上電極的方法，所述上電極包括可相互分離的中心電極和邊緣電極，所述方法包括以下步驟：

根據沿晶圓半徑方向的刻蝕結構剖面傾斜度分布確定中心電極的目標下表面形貌；以及

從一套預置的電極部件模型中選擇多個電極部件模型，使所述多個電極部件模型組合而成的整體下表面形貌逼近所述目標下表面形貌。

9.根據權利要求8所述的設計刻蝕腔室的上電極的方法，其特征在于，所述多個電極部件模型包括位于中央的圓形電極部件模型和圍繞所述圓形電極部件模型的至少一個圓環形電極部件模型。

10.根據權利要求8所述的設計刻蝕腔室的上電極的方法，其特征在于，所述多個電極部件模型中至少部分電極部件模型的下表面形貌不同。

11.根據權利要求8所述的設計刻蝕腔室的上電極的方法，其特征在于，所述多個電極部件模型中每一電極部件模型的下表面為平坦表面、凸起形狀或下凹形狀。