[發明專利]藍寶石基GaN準垂直肖特基二極管反向漏電減小方法及肖特基二極管

有效

• 申請號: 202110004368.5
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112864014B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 耿莉;劉江;楊明超;劉衛華;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/3065;H01L29/872
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 高博

1.藍寶石基GaN準垂直肖特基二極管反向漏電減小方法，其特征在于，采用光刻工藝在GaN樣品上制備厚度為300nm的金屬Ni腌膜，光刻工藝前，先將GaN樣品依次在丙酮、異丙醇、去離子水中進行清洗；然后采用感應耦合等離子體干法刻蝕工藝對GaN樣品進行刻蝕操作，直到n⁺GaN層；結合電子束工藝在刻蝕完的n⁺GaN樣品上蒸鍍Ti/Al/Ni/Au金屬層，并在高溫N₂環境下進行快速熱退火處理，以形成歐姆接觸，蒸鍍Ti/Al/Ni/Au金屬層過程中，采用RTA快速退火設備在850℃，N₂環境處理40s；采用光刻和電子束在n^-GaN臺面上完成Ni/Au肖特基接觸的制備；采用勻膠機將SOG旋涂在GaN表面，勻膠機的轉速為4000rpm，然后采用濕法刻蝕工藝在旋涂后的GaN樣品表面進行陽極和陰極金屬的開窗口實驗，漏出電極；最后將GaN樣品放入超臨界反應釜內，向超臨界反應釜內充入CO₂氣體，加入異丙醇和去離子水密封后進行反應，設備溫度從室溫上升到160℃，同時反應釜內的壓強為22MPa，維持以上溫度和壓強60min，得到基于超臨界二氧化碳流體的藍寶石基GaN準垂直肖特基二極管。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，肖特基陽極金屬選擇Ni/Au金屬。

3.一種肖特基二極管，其特征在于，根據權利要求1所述方法制備而成。

4.根據權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，肖特基二極管在反向偏壓范圍內，漏電降低2個數量級。